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产品名称: LN4056H

LN4056H

产品价格:面议

产品数量:3000000

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更新日期:2021-04-04

产品说明


锂电池充电ICHX4067经销商_高耐压充电芯片HX4067技术支持-深圳市恒佳盛电子有限公司

专业HX4067批发_高耐压充电芯片HX4067技术支持-深圳市恒佳盛电子有限公司

■ 引脚功能  TEMP(引脚1):将TEMP管脚接到电池的NTC传感器的输出端。如果TEMP管脚的电压小于输入电压的30%或者大于输入 电压的60%,意味着电池温度过低或过高,则充电将被暂停。如果TEMP在输入电压的30%和60%之间,则电池故障状态将 被清除,充电将继续。  ISET(引脚2):充电电流编程,充电电流监控和关闭端。充电电流由一个精度为1%的接到地的电阻控制。在恒定充电电流 状态时,此端口提供1V的电压。在所有状态下,此端口电压都可以用下面的公式测算充电电流。 IBAT = (VISET/RISET) ×960 ISET 端口也可用来关闭充电器。把编程电阻同地端分离,芯片内部可以通过上拉的 3µA 电流源拉高 ISET 端口电压。当达 到 1.21V 的极限停工电压值时,充当器进入停止工作状态,单节锂电充电LN4056H解决方案,充电结束,输入电流降至 25µA。此端口夹断电压大约 2.4V。通 过使 ISET 电阻和地端结合,充电器回到正常状态。  GND(引脚 3):接地端,EXPOSED 管脚也需要跟引脚 3 相连。  VIN (引脚4):提供正电压输入。VIN管脚必须有至少1µF的旁路电容。当VIN降到BAT端电压30mV以内时,LN4056停止 充电,此时BAT端口的消耗电流小于0.1uA。  BAT (引脚5):将电池的正端连接到此管脚。在充满时,如果VIN没有移除,BAT消耗电流大约为2uA。在充电过程中,

如果移除VIN,则BAT管脚的消耗电流小于0.1uA。  DONE(引脚6):当充电结束时,DONE管脚被内部开关拉到低电平,表示充电已经结束;否则DONE管脚处于高阻态。  CHRG(引脚7):当充电器向电池充电时,CHRG管脚被内部开关拉到低电平,表示充电正在进行;否则CHRG管脚处于高 阻态。  CE(引脚8):此管脚可以控制芯片是否充电,接高电平使能充电,低电平关断充电,关断充电后芯片的静态功耗在20uA


SOT-23-6封装HX4067批发_高耐压充电芯片HX4067代理商-深圳市恒佳盛电子有限公司


充电管理ICHX4067特价_高耐压充电芯片HX4067技术支持-深圳市恒佳盛电子有限公司

■ 应用信息  设定充电电流 在恒流模式,计算充电电流的公式为: ISET= 960V / RISET。其中,ISET 表示充电电流,单位为安培,RISET 表示 ISET 管 脚到地的电阻,单位为欧姆。例如,如果需要 500 毫安的充电电流,可按下面的公式计算: RISET = 960V/0.5A = 1.98KΩ 为了保证良好的稳定性和温度特性,RISET建议使用精度为 1%的金属膜电阻。  同时应用 USB 和交流电适配器充电 LN4056 不但可以利用 USB 接口为电池充电,也可以利用墙上适配器为电池充电。图 4 示出一个同时使用 USB 接口和交流 电适配器通过 LN4056 对电池进行充电的例子,当二者共同存在时,交流电适配器具有优先权。M1 为 P 沟道 MOSFET,M1 用 来阻止电流从墙上适配器流入 USB 接口,肖特基二极管 D1 可防止 USB 接口通过 1K 电阻消耗能量。

 电池温度监测 为了防止电池温度过高或者过低对电池造成的损害,LN4056 内部集成有电池温度监测电路。电池温度监测是通过测量 TEMP 管脚的电压实现的,TEMP 管脚的电压是由电池内的 NTC 热敏电阻和一个电阻分压网络实现的,如图 3 所示。 LN4056将TEMP管脚的电压同芯片内部的两个阈值VLOW 和VHIGH 相比较,以确认电池的温度是否超出正常范围。在LN4056 内部,VLOW 被固定在 30%×VIN,VHIGH 被固定在 60%×VIN。如果 TEMP 管脚的电压 VTEMP<VLOW 或者 VTEMP>VHIGH ,则表示 电池的温度太高或者太低,充电过程将被暂停;如果 TEMP 管脚的电压 VTEMP 在 VLOW 和 VHIGH之间,充电周期则继续。  确定 R1 和 R2 的值 R1 和 R2 的值要根据电池的温度监测范围和热敏电阻的电阻值来确定,现举例说明如下:假设设定的电池温度范围为 TL~ TH,(其中 TL<TH);电池中使用的是负温度系数的热敏电阻(NTC),RTL 为其在温度 TL 时的阻值,RTH 为其在温度 TH 时的 阻值,则 RTL>RTH,那么,在温度 TL 时,管脚 TEMP 端的电压为: 2 TL TEMPL 1 2 TL R / /R V Vin R R / /R    在温度 TH 时,管脚 TEMP 端的电压为: 2 TH TEMPH 1 2 TH R / /R V Vin R R / /R    然后,由 VTEMPL  VHIGH  K2 VIN(K2  0.6) VTEMPH  VLOW  K1VIN(K1  0.3) 则可解得: TL TH TL TH R R (K2 K1) R1 (R R )K1K2    TL TH TL TH R R (K2 K1) R2 R (K1 K1K2) R (K2 K1K2)      同理,如果电池内部是正温度系数(PTC)的热敏电阻,则 RTH>RTL,我们可以计算得到: TL TH TH TL R R (K2 K1) R1 (R R )K1K2


单节锂电充电HX4067生产商_高耐压充电芯片HX4067代理商-深圳市恒佳盛电子有限公司

■ 产品概述 LN4056 是可以对单节可充电锂电池进行恒流/恒压充电 的充电器电路元器件。该器件内部包括功率晶体管,应用时 不需要外部的电流检测电阻和阻流二极管。LN4056 只需要 极少的外围元器件,并且符合 USB 总线技术规范,非常适 合于便携式应用的领域。 热调制电路可以在器件的功耗比较大或者环境温度比较 高的时候将芯片温度控制在安全范围内。充电电流通过一个 外部电阻设置。当输入电压(交流适配器或者 USB 电源) 掉电时,LN4056 自动进入低功耗的睡眠模式,此时电池的 电流消耗小于 0.1µA。当电池电压高于输入电压时,自动关闭 内置功率 MOSFET。其它功能包括输入电压过低锁存,自动 再充电,电池温度监控以及充电状态/充电结束状态指示等功 能。LN4056 可以通过使能引脚关断充电,关断状态下芯片 的静态功耗在 20uA 以下; 在 VIN 不接入的情况下,支持电池反接保护功能,当电 池反接后,芯片会有 800uA 的功耗,但不会导致 BAT 端口 损伤。电池接入正常后,芯片解除保护,恢复正常模式。 LN4056 采用散热增强型的 8 管脚小外形封装 ESOP8。 ■ 用途  便携式电子设备  充电线

■ 产品特点  可编程使充电电流可达 1.0A  不需要外部 MOSFET,传感电阻和阻流二极管  小的尺寸实现对锂离子电池的完全线性充电管理  恒电流/恒电压运行和热度调节使得电池管理效力 高,没有热度过高的危险  从 USB 接口管理单片锂离子电池  充电电流输出监控  充电状态指示标志和充满状态标志  1/10 充电电流终止  自动再充电  停止工作时提供 40A 电流  2.9V 涓流充电阈值电压  软启动限制浪涌电流  当拔掉 VIN 时,IC 不消耗电池能量  电池反接保护功能  采用 ESOP8 以及客户订制的封装形式 ■ 封装  ESOP8

5月14日消息,据国外媒体报道,三星日前起诉竞争对手Renesas,称Renesas侵犯其两项存储芯片方面的专利。 日前,三星向美国特拉华州地方法院起诉Renesas,指控Renesas侵犯其存储芯片制造上的两项专利权。三星要求法院下达永久禁令,禁止Renesas及其子公司生产和销售侵权产品。 此外,三星还要求Renesas对侵权行为进行赔偿,但具体的赔偿数目尚不清楚。 据调研机构ICInsights最新报告显示,今年第一季度,三星仍稳居全球第二大半导体厂商宝座,销售额为46.97亿美元。而Renesas排名第七,销售额为19.49亿美元。 力晶半导体(Powerchip)董事会日前通过决议,深圳市恒佳盛电子有限公司,单节锂电充电LN4056H解决方案,恒佳盛电子,将该公司拥有的8寸晶圆厂分割,移让给力晶百分之百持有之钜晶电子。此案将提请力晶股东会授权董事会全权处理分割、组织调整及引进策略投资人等相关事宜。 针对这项组织变革,力晶表示,利用旧有8寸晶圆厂生产线,从标准DRAM生产转型专业代工,该公司已累积多年经验。由于两种业务在组织管理和营运模式上需要有所区隔,因此决议将8寸厂独立并移转给钜晶电子,单节锂电充电LN4056H解决方案,此举也有助于在未来引进其它策略性客户及伙伴。 力晶指出,该公司将依企业并购法、公司法及其它相关法令,将8寸厂相关营业价值暂订为新台币75亿元,单节锂电充电LN4056H解决方案,力晶拟以每15元换取钜晶新发行之普通股1股,共换取5亿股;若有不足换取一股者,则由钜晶公司以现金给付之。此分割案将提请股东会同意,并提请股东会授权董事会视市场、营运状况,全权处理后续相关事宜。 据国外媒体报道,全球第二大储存芯片制造商、英飞凌分拆的新公司奇梦达宣布,为了提高产品销售,它计划将在新加坡构建一个300毫米晶圆工厂。   奇梦达表示,未来五年内新工厂将投资20亿欧元(约合27亿美元),将建立一个二万平米的绝对无尘室,每月的产量将达到六万个晶圆。在达到最高产量时将雇用1500名员工。   新工厂计划从今年晚些时候开始构建,预期2009年开始投入生产。新加坡的工厂将是奇梦达拥有的第三个300毫米晶圆工厂,类似的工厂在德国的德累斯顿和维吉尼亚(Virgina)的里齐蒙得(Richmond)。   市场调研机构IDC表示,从长远观点看,DRAM储存芯片的需求将增长,受到计算机需求增长的推动,从目前到2011年,DRAM储存芯片的年复合增长率将达到43%。


供应商信息

公司名称:深圳市恒佳盛电子有限公司

公司地址:广东省深圳市福田区振兴路赛格科技园四栋中520室

所属行业:其他集成电路

联系人:张 林森

手机号码:13723462606