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产品名称: LN4056H

LN4056H

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更新日期:2021-12-02

产品说明


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■ 应用信息  设定充电电流 在恒流模式,计算充电电流的公式为: ISET= 960V / RISET。其中,ISET 表示充电电流,单位为安培,RISET 表示 ISET 管 脚到地的电阻,单位为欧姆。例如,如果需要 500 毫安的充电电流,可按下面的公式计算: RISET = 960V/0.5A = 1.98KΩ 为了保证良好的稳定性和温度特性,RISET建议使用精度为 1%的金属膜电阻。 

 同时应用 USB 和交流电适配器充电 LN4056 不但可以利用 USB 接口为电池充电,也可以利用墙上适配器为电池充电。图 4 示出一个同时使用 USB 接口和交流 电适配器通过 LN4056 对电池进行充电的例子,当二者共同存在时,交流电适配器具有优先权。M1 为 P 沟道 MOSFET,M1 用 来阻止电流从墙上适配器流入 USB 接口,锂电池充电ICLN4056H兼容AP5056_厨房家电充电芯片LN4056H深圳市恒佳兴电子有限公司_深圳市恒佳盛电子有限公司,肖特基二极管 D1 可防止 USB 接口通过 1K 电阻消耗能量。

 电池温度监测 为了防止电池温度过高或者过低对电池造成的损害,LN4056 内部集成有电池温度监测电路。电池温度监测是通过测量 TEMP 管脚的电压实现的,TEMP 管脚的电压是由电池内的 NTC 热敏电阻和一个电阻分压网络实现的,如图 3 所示。 LN4056将TEMP管脚的电压同芯片内部的两个阈值VLOW 和VHIGH 相比较,以确认电池的温度是否超出正常范围。在LN4056 内部,VLOW 被固定在 30%×VIN,VHIGH 被固定在 60%×VIN。如果 TEMP 管脚的电压 VTEMP<VLOW 或者 VTEMP>VHIGH ,则表示 电池的温度太高或者太低,充电过程将被暂停;如果 TEMP 管脚的电压 VTEMP 在 VLOW 和 VHIGH之间,充电周期则继续。 

 确定 R1 和 R2 的值 R1 和 R2 的值要根据电池的温度监测范围和热敏电阻的电阻值来确定,现举例说明如下:假设设定的电池温度范围为 TL~ TH,(其中 TL<TH);电池中使用的是负温度系数的热敏电阻(NTC),RTL 为其在温度 TL 时的阻值,RTH 为其在温度 TH 时的 阻值,则 RTL>RTH

 漏极开路状态指示输出端 LN4056 有两个漏极开路状态指示端,CHRG 和 DONE,这两个状态指示端可以驱动发光二极管或单片机端口。CHRG 用来 指示充电状态,在充电时,CHRG 为低电平;DONE 用来指示充电结束状态,当充电结束时,DONE 为低电平。当电池的温度处 于正常温度范围之外超过 0.15 秒时,CHAG 和 DONE 管脚都输出高阻态。 当电池没有接到充电器时,充电器很快将输出电容充电到恒压充电电压值,由于电池电压 Kelvin 检测 BAT 管脚的漏电流, BAT 管脚的电压将慢慢下降到再充电阈值,这样在 BAT 管脚形成一个纹波电压为 150mV 的波形,同时 CHAG 输出脉冲信号表 示没有安装电池。当电池连接端 BAT 管脚的外接电容为 4.7µF 时,脉冲的周期大约为 2Hz。

注: 1、无电池时CHAG闪烁的频率跟外接电容有关,一般建议4.7µF,电容越大闪烁频率越小。 2、出错的情况有:超出工作温度范围(温度过高或过低),Iset 端悬空,Vin<Vbat,Vin<3.8V等

 大电流输出设计 由于 LN4056 采用了内部恒定功率技术,因此当输入 VIN 和 BAT 压差过大时,会导致大电流的 BAT 电压区间变小,从而 充电时间会变长,为了使大电流充电的区间变大,可以通过外置电阻或者肖特基的方法来实现。 假设 LN4056 的 ESOP8 封装内部大允许功率为 1.2W,充电大电流设置为 1.0A。如果采用的是电阻,我们假设采用的 是 0.5 欧姆(1W)电阻,在大电流充电时,电阻上的压降为 0.5*1.0=0.5V,LN4056 的真正工作电压为 4.4V。于是,在此状态下, (VIN-VBAT)*1.0<1.2W,因此 VBAT>3.4V,电池电压为 3.4V 以上都支持 1.0A 充电,低于 3.4V,则 LN4056 会自动减小充电 电流以维持芯片内部功率平衡。 如果采用的是肖特基,根据肖特基在不同电流下的压降可以做出类似的计算。 另外在大电流应用中需要注意 LN4056 在 PCB 布线设计时,必须考虑增加 EXPOSED PAD 的面积,并将 EXPOSED PAD 与 GND 相连,以此提高散热性能,保证芯片稳定工作。


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1.0A 具有 USB 接口兼容的线性电池管理芯片

LN4056 是可以对单节可充电锂电池进行恒流/恒压充电 的充电器电路元器件。该器件内部包括功率晶体管,应用时 不需要外部的电流检测电阻和阻流二极管。LN4056 只需要 极少的外围元器件,并且符合 USB 总线技术规范,非常适 合于便携式应用的领域。 热调制电路可以在器件的功耗比较大或者环境温度比较 高的时候将芯片温度控制在安全范围内。充电电流通过一个 外部电阻设置。当输入电压(交流适配器或者 USB 电源) 掉电时,LN4056 自动进入低功耗的睡眠模式,此时电池的 电流消耗小于 0.1µA。当电池电压高于输入电压时,自动关闭 内置功率 MOSFET。其它功能包括输入电压过低锁存,自动 再充电,电池温度监控以及充电状态/充电结束状态指示等功 能。LN4056 可以通过使能引脚关断充电,关断状态下芯片 的静态功耗在 20uA 以下; 在 VIN 不接入的情况下,支持电池反接保护功能,当电 池反接后,芯片会有 800uA 的功耗,但不会导致 BAT 端口 损伤。电池接入正常后,芯片解除保护,恢复正常模式。 LN4056 采用散热增强型的 8 管脚小外形封装 ESOP8。

■ 产品特点  可编程使充电电流可达 1.0A  不需要外部 MOSFET,传感电阻和阻流二极管  小的尺寸实现对锂离子电池的完全线性充电管理  恒电流/恒电压运行和热度调节使得电池管理效力高,没有热度过高的危险  从 USB 接口管理单片锂离子电池  充电电流输出监控  充电状态指示标志和充满状态标志  1/10 充电电流终止  自动再充电  停止工作时提供 40A 电流  2.9V 涓流充电阈值电压  软启动限制浪涌电流  当拔掉 VIN 时,IC 不消耗电池能量  电池反接保护功能  采用 ESOP8 以及客户订制的封装形式 ■ 封装  ESOP8


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■ 引脚功能 

 TEMP(引脚1):将TEMP管脚接到电池的NTC传感器的输出端。如果TEMP管脚的电压小于输入电压的30%或者大于输入 电压的60%,意味着电池温度过低或过高,则充电将被暂停。如果TEMP在输入电压的30%和60%之间,则电池故障状态将 被清除,充电将继续。 

 ISET(引脚2):充电电流编程,充电电流监控和关闭端。充电电流由一个精度为1%的接到地的电阻控制。在恒定充电电流 状态时,此端口提供1V的电压。在所有状态下,此端口电压都可以用下面的公式测算充电电流。 IBAT = (VISET/RISET) ×960 ISET 端口也可用来关闭充电器。把编程电阻同地端分离,芯片内部可以通过上拉的 3µA 电流源拉高 ISET 端口电压。当达 到 1.21V 的极限停工电压值时,充当器进入停止工作状态,充电结束,输入电流降至 25µA。此端口夹断电压大约 2.4V。通 过使 ISET 电阻和地端结合,充电器回到正常状态。 

 GND(引脚 3):接地端,EXPOSED 管脚也需要跟引脚 3 相连。 

 VIN (引脚4):提供正电压输入。VIN管脚必须有至少1µF的旁路电容。当VIN降到BAT端电压30mV以内时,LN4056停止 充电,此时BAT端口的消耗电流小于0.1uA。 

 BAT (引脚5):将电池的正端连接到此管脚。在充满时,如果VIN没有移除,BAT消耗电流大约为2uA。在充电过程中,如果移除VIN,则BAT管脚的消耗电流小于0.1uA。 

 DONE(引脚6):当充电结束时,DONE管脚被内部开关拉到低电平,表示充电已经结束;否则DONE管脚处于高阻态。 

 CHRG(引脚7):当充电器向电池充电时,CHRG管脚被内部开关拉到低电平,表示充电正在进行;否则CHRG管脚处于高 阻态。 

 CE(引脚8):此管脚可以控制芯片是否充电,接高电平使能充电,低电平关断充电,关断充电后芯片的静态功耗在20uA 以下;


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中芯国际从2000年成立就持续不断地通过或建,或收购,或托管的方式建立起分布于上海、北京、天津、成都、武汉和广州的庞大的生产制造能力。2009年伊始,华虹合并宏力,再投资22亿美金新建12寸厂,将规模扩充1倍。中国半导体代工企业过去的十年所见证的就是资产绝对规模的惊人增长。但,热火朝天的产能扩张随后而来的却是技术落后和难以盈利的冰冷现实。中芯国际从2000年创立以来一直处于大幅亏损状态,平均每年的亏损在数千万到数亿美金之间。而其代表国内最先进技术水平的主流工艺较世界先进水平晚三代。华虹NEC在完成国家的ID身份证项目后,锂电池充电ICLN4056H兼容AP5056_1A电流充电ICLN4056H兼容LP4056_深圳市恒佳盛电子有限公司,公司深陷缺乏客户和核心技术的困局而无力自拔;而宏力从建立伊始就持续亏损。   根据中国半导体行业协会的数据,2008年中国IC产业比2007年下滑到-0.4%,近20年来首次出现年度负增长,其中IC设计业虽然仍实现了4.2%的正增长,但与2007年21.2%的增幅相比,增速也出现大幅下滑。在知名业界人士老杳的文章《2008年中国十家最“囧”IC设计公司》中可以看到,因为前景暗淡、产品研发失败和资金断裂等原因,凯明、鼎芯、凌讯、复旦微纳、上海安凡、北京新岸线、上海龙晶、凤凰微电子、互芯集成、智多微电子等一批业界知名的本地IC设计公司在2008年倒闭、出售和裁员等。作为“中国芯”的优秀代表,率先在纳斯达克上市的中星微、炬力和展讯的股价都已经从当初IPO的10多美元跌至1美元左右,锂电池充电ICLN4056H兼容AP5056_ESOP8封装LN4056H_深圳市恒佳盛电子有限公司,股价大大跑输同期纳斯达克大市,而且它们的业务发展前景都不太乐观。而在知名的半导体技术媒体《国际电子商情》网站上,类似《VC投资IC设计业,不如去投洗脚城?》这样的话题成为大家的讨论热点。 第三,中国CPU企业应防患于未然,及早确定应对策略。如果锁定了相关度极高的专利,可以对该专利在授权过程中的法律过程文档进行分析,确定该专利真正的保护范围,进而使规避该专利、否定该专利或者降低该专利的交易价格成为可能。对于无法规避及无效的专利,及早进行许可谈判以争取合理授权,甚至通过专利交易获得该专利权,也是一种加快研发,打开市场的策略。合理的专利许可和转让能帮助企业缩短研发时间,节约研发成本,跨越技术开发瓶颈和避免侵权诉讼等。


供应商信息

公司名称:深圳市恒佳盛电子有限公司

公司地址:广东省深圳市福田区振兴路赛格科技园四栋中520室

所属行业:其他集成电路

联系人:张 林森

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