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产品名称: LN4056H

LN4056H

产品价格:面议

产品数量:3000000

保质/修期:2

保质/修期单位:

更新日期:2021-12-02

产品说明

■ 引脚功能 

 TEMP(引脚1):将TEMP管脚接到电池的NTC传感器的输出端。如果TEMP管脚的电压小于输入电压的30%或者大于输入 电压的60%,意味着电池温度过低或过高,则充电将被暂停。如果TEMP在输入电压的30%和60%之间,则电池故障状态将 被清除,充电将继续。 

 ISET(引脚2):充电电流编程,充电电流监控和关闭端。充电电流由一个精度为1%的接到地的电阻控制。在恒定充电电流 状态时,此端口提供1V的电压。在所有状态下,此端口电压都可以用下面的公式测算充电电流。 IBAT = (VISET/RISET) ×960 ISET 端口也可用来关闭充电器。把编程电阻同地端分离,芯片内部可以通过上拉的 3µA 电流源拉高 ISET 端口电压。当达 到 1.21V 的极限停工电压值时,充当器进入停止工作状态,充电结束,输入电流降至 25µA。此端口夹断电压大约 2.4V。通 过使 ISET 电阻和地端结合,充电器回到正常状态。 

 GND(引脚 3):接地端,EXPOSED 管脚也需要跟引脚 3 相连。 

 VIN (引脚4):提供正电压输入。VIN管脚必须有至少1µF的旁路电容。当VIN降到BAT端电压30mV以内时,LN4056停止 充电,此时BAT端口的消耗电流小于0.1uA。 

 BAT (引脚5):将电池的正端连接到此管脚。在充满时,如果VIN没有移除,BAT消耗电流大约为2uA。在充电过程中,如果移除VIN,则BAT管脚的消耗电流小于0.1uA。 

 DONE(引脚6):当充电结束时,DONE管脚被内部开关拉到低电平,表示充电已经结束;否则DONE管脚处于高阻态。 

 CHRG(引脚7):当充电器向电池充电时,CHRG管脚被内部开关拉到低电平,表示充电正在进行;否则CHRG管脚处于高 阻态。 

 CE(引脚8):此管脚可以控制芯片是否充电,接高电平使能充电,低电平关断充电,关断充电后芯片的静态功耗在20uA 以下;


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1.0A 具有 USB 接口兼容的线性电池管理芯片

LN4056 是可以对单节可充电锂电池进行恒流/恒压充电 的充电器电路元器件。该器件内部包括功率晶体管,应用时 不需要外部的电流检测电阻和阻流二极管。LN4056 只需要 极少的外围元器件,并且符合 USB 总线技术规范,非常适 合于便携式应用的领域。 热调制电路可以在器件的功耗比较大或者环境温度比较 高的时候将芯片温度控制在安全范围内。充电电流通过一个 外部电阻设置。当输入电压(交流适配器或者 USB 电源) 掉电时,LN4056 自动进入低功耗的睡眠模式,此时电池的 电流消耗小于 0.1µA。当电池电压高于输入电压时,自动关闭 内置功率 MOSFET。其它功能包括输入电压过低锁存,自动 再充电,电池温度监控以及充电状态/充电结束状态指示等功 能。LN4056 可以通过使能引脚关断充电,关断状态下芯片 的静态功耗在 20uA 以下; 在 VIN 不接入的情况下,支持电池反接保护功能,当电 池反接后,芯片会有 800uA 的功耗,但不会导致 BAT 端口 损伤。电池接入正常后,芯片解除保护,恢复正常模式。 LN4056 采用散热增强型的 8 管脚小外形封装 ESOP8。

■ 产品特点  可编程使充电电流可达 1.0A  不需要外部 MOSFET,传感电阻和阻流二极管  小的尺寸实现对锂离子电池的完全线性充电管理  恒电流/恒电压运行和热度调节使得电池管理效力高,没有热度过高的危险  从 USB 接口管理单片锂离子电池  充电电流输出监控  充电状态指示标志和充满状态标志  1/10 充电电流终止  自动再充电  停止工作时提供 40A 电流  2.9V 涓流充电阈值电压  软启动限制浪涌电流  当拔掉 VIN 时,IC 不消耗电池能量  电池反接保护功能  采用 ESOP8 以及客户订制的封装形式 ■ 封装  ESOP8


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■ 应用信息  设定充电电流 在恒流模式,计算充电电流的公式为: ISET= 960V / RISET。其中,小风扇充电芯片LN4056H兼容XT4077_厨房家电充电芯片LN4056H深圳市恒佳盛电子有限公司_深圳市恒佳盛电子有限公司,ISET 表示充电电流,单位为安培,RISET 表示 ISET 管 脚到地的电阻,单位为欧姆。例如,如果需要 500 毫安的充电电流,可按下面的公式计算: RISET = 960V/0.5A = 1.98KΩ 为了保证良好的稳定性和温度特性,RISET建议使用精度为 1%的金属膜电阻。 

 同时应用 USB 和交流电适配器充电 LN4056 不但可以利用 USB 接口为电池充电,也可以利用墙上适配器为电池充电。图 4 示出一个同时使用 USB 接口和交流 电适配器通过 LN4056 对电池进行充电的例子,当二者共同存在时,交流电适配器具有优先权。M1 为 P 沟道 MOSFET,M1 用 来阻止电流从墙上适配器流入 USB 接口,肖特基二极管 D1 可防止 USB 接口通过 1K 电阻消耗能量。

 电池温度监测 为了防止电池温度过高或者过低对电池造成的损害,LN4056 内部集成有电池温度监测电路。电池温度监测是通过测量 TEMP 管脚的电压实现的,TEMP 管脚的电压是由电池内的 NTC 热敏电阻和一个电阻分压网络实现的,如图 3 所示。 LN4056将TEMP管脚的电压同芯片内部的两个阈值VLOW 和VHIGH 相比较,以确认电池的温度是否超出正常范围。在LN4056 内部,VLOW 被固定在 30%×VIN,VHIGH 被固定在 60%×VIN。如果 TEMP 管脚的电压 VTEMP<VLOW 或者 VTEMP>VHIGH ,则表示 电池的温度太高或者太低,充电过程将被暂停;如果 TEMP 管脚的电压 VTEMP 在 VLOW 和 VHIGH之间,充电周期则继续。 

 确定 R1 和 R2 的值 R1 和 R2 的值要根据电池的温度监测范围和热敏电阻的电阻值来确定,现举例说明如下:假设设定的电池温度范围为 TL~ TH,小风扇充电芯片LN4056H兼容XT4077_搅拌机芯片LN4056H4056 PDF规格书_深圳市恒佳盛电子有限公司,(其中 TL<TH);电池中使用的是负温度系数的热敏电阻(NTC),RTL 为其在温度 TL 时的阻值,RTH 为其在温度 TH 时的 阻值,则 RTL>RTH

 漏极开路状态指示输出端 LN4056 有两个漏极开路状态指示端,CHRG 和 DONE,这两个状态指示端可以驱动发光二极管或单片机端口。CHRG 用来 指示充电状态,在充电时,CHRG 为低电平;DONE 用来指示充电结束状态,当充电结束时,DONE 为低电平。当电池的温度处 于正常温度范围之外超过 0.15 秒时,CHAG 和 DONE 管脚都输出高阻态。 当电池没有接到充电器时,充电器很快将输出电容充电到恒压充电电压值,由于电池电压 Kelvin 检测 BAT 管脚的漏电流, BAT 管脚的电压将慢慢下降到再充电阈值,这样在 BAT 管脚形成一个纹波电压为 150mV 的波形,同时 CHAG 输出脉冲信号表 示没有安装电池。当电池连接端 BAT 管脚的外接电容为 4.7µF 时,脉冲的周期大约为 2Hz。

注: 1、无电池时CHAG闪烁的频率跟外接电容有关,一般建议4.7µF,电容越大闪烁频率越小。 2、出错的情况有:超出工作温度范围(温度过高或过低),Iset 端悬空,Vin<Vbat,Vin<3.8V等

 大电流输出设计 由于 LN4056 采用了内部恒定功率技术,因此当输入 VIN 和 BAT 压差过大时,小风扇充电芯片LN4056H兼容XT4077_单节锂电充电LN4056H兼容AP5056_深圳市恒佳盛电子有限公司,会导致大电流的 BAT 电压区间变小,从而 充电时间会变长,为了使大电流充电的区间变大,可以通过外置电阻或者肖特基的方法来实现。 假设 LN4056 的 ESOP8 封装内部大允许功率为 1.2W,充电大电流设置为 1.0A。如果采用的是电阻,我们假设采用的 是 0.5 欧姆(1W)电阻,在大电流充电时,电阻上的压降为 0.5*1.0=0.5V,LN4056 的真正工作电压为 4.4V。于是,在此状态下, (VIN-VBAT)*1.0<1.2W,因此 VBAT>3.4V,电池电压为 3.4V 以上都支持 1.0A 充电,低于 3.4V,则 LN4056 会自动减小充电 电流以维持芯片内部功率平衡。 如果采用的是肖特基,根据肖特基在不同电流下的压降可以做出类似的计算。 另外在大电流应用中需要注意 LN4056 在 PCB 布线设计时,必须考虑增加 EXPOSED PAD 的面积,并将 EXPOSED PAD 与 GND 相连,以此提高散热性能,保证芯片稳定工作。


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由于受金融危机和产业周期性影响,在过去的半年里,MOS晶圆的产能正在减少。据Future Horizons三月份的数据显示,2008年第四季度较第三季度产能总体下降了1.7%,从每星期相当于2145k片200mm晶圆下降到2108k,“产能扩张的持续放缓将在2009年继续延续。”Future Horizons总裁兼CEO Malcolm Penn表示,“由于市场需求的低迷,在2009年的上半年产能过剩是不可避免的,但产能利用率已到谷底。”Malcolm Penn警告:“一旦市场需求随着经济的复苏开始加速,产能将不能满足需要,2009年产能扩张的投资估计在200亿美金,仅是2000年投资的三分之一,届时Fab产能不足将不可避免。”   最近一个新的挑战给ASE制造了意想不到的困难。当用户增加芯片的复杂度和密度时,更多的功能部分被封装进芯片中,且大都使用再分布的方法。“与密度增加同时发生的是,一些引线键合焊盘或硅芯片上的焊盘降低到UBM结构之下。因为那里没有了衬垫效应,而是一个高应力集中区域,因此会降低可靠性。增加密度时焊盘下的通孔会导致这个问题。我们正试图优化设计——不但在在硅芯片级别上,而且在再分布系统结构上,来调节落到高密度器件焊垫下方的通孔。”   需要强调的是,“中国芯”的降温和困境,与目前的金融海啸并没有太大的关系,后者最多只是催化剂而已。因为目前中国IC设计产业以面向中低端应用为主,最终产品主要也是销往国内和亚非拉美市场,受经济危机的影响较面向中高端的欧美同行小得多。相反,由于欧美厂商的费用支出大和市场受损严重,经济危机反倒为“过惯了苦日子”的亚洲厂商提供了一个“拖死”和“赶超”欧美厂商的绝佳机会,典型的例子就是来自中国台湾的联发科(MTK)凭借大陆山寨市场做得风生水起,而欧美手机芯片厂商一片惨淡。


供应商信息

公司名称:深圳市恒佳盛电子有限公司

公司地址:广东省深圳市福田区振兴路赛格科技园四栋中520室

所属行业:其他集成电路

联系人:张 林森

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