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产品名称: LN4056H

LN4056H

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更新日期:2021-12-02

产品说明


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■ 应用信息  设定充电电流 在恒流模式,计算充电电流的公式为: ISET= 960V / RISET。其中,ISET 表示充电电流,单位为安培,RISET 表示 ISET 管 脚到地的电阻,单位为欧姆。例如,如果需要 500 毫安的充电电流,可按下面的公式计算: RISET = 960V/0.5A = 1.98KΩ 为了保证良好的稳定性和温度特性,RISET建议使用精度为 1%的金属膜电阻。 

 同时应用 USB 和交流电适配器充电 LN4056 不但可以利用 USB 接口为电池充电,也可以利用墙上适配器为电池充电。图 4 示出一个同时使用 USB 接口和交流 电适配器通过 LN4056 对电池进行充电的例子,当二者共同存在时,交流电适配器具有优先权。M1 为 P 沟道 MOSFET,M1 用 来阻止电流从墙上适配器流入 USB 接口,肖特基二极管 D1 可防止 USB 接口通过 1K 电阻消耗能量。

 电池温度监测 为了防止电池温度过高或者过低对电池造成的损害,LN4056 内部集成有电池温度监测电路。电池温度监测是通过测量 TEMP 管脚的电压实现的,TEMP 管脚的电压是由电池内的 NTC 热敏电阻和一个电阻分压网络实现的,如图 3 所示。 LN4056将TEMP管脚的电压同芯片内部的两个阈值VLOW 和VHIGH 相比较,以确认电池的温度是否超出正常范围。在LN4056 内部,VLOW 被固定在 30%×VIN,VHIGH 被固定在 60%×VIN。如果 TEMP 管脚的电压 VTEMP<VLOW 或者 VTEMP>VHIGH ,则表示 电池的温度太高或者太低,充电过程将被暂停;如果 TEMP 管脚的电压 VTEMP 在 VLOW 和 VHIGH之间,充电周期则继续。 

 确定 R1 和 R2 的值 R1 和 R2 的值要根据电池的温度监测范围和热敏电阻的电阻值来确定,现举例说明如下:假设设定的电池温度范围为 TL~ TH,(其中 TL<TH);电池中使用的是负温度系数的热敏电阻(NTC),RTL 为其在温度 TL 时的阻值,RTH 为其在温度 TH 时的 阻值,则 RTL>RTH

 漏极开路状态指示输出端 LN4056 有两个漏极开路状态指示端,CHRG 和 DONE,这两个状态指示端可以驱动发光二极管或单片机端口。CHRG 用来 指示充电状态,在充电时,CHRG 为低电平;DONE 用来指示充电结束状态,当充电结束时,DONE 为低电平。当电池的温度处 于正常温度范围之外超过 0.15 秒时,CHAG 和 DONE 管脚都输出高阻态。 当电池没有接到充电器时,充电器很快将输出电容充电到恒压充电电压值,由于电池电压 Kelvin 检测 BAT 管脚的漏电流, BAT 管脚的电压将慢慢下降到再充电阈值,这样在 BAT 管脚形成一个纹波电压为 150mV 的波形,同时 CHAG 输出脉冲信号表 示没有安装电池。当电池连接端 BAT 管脚的外接电容为 4.7µF 时,脉冲的周期大约为 2Hz。

注: 1、无电池时CHAG闪烁的频率跟外接电容有关,一般建议4.7µF,电容越大闪烁频率越小。 2、出错的情况有:超出工作温度范围(温度过高或过低),Iset 端悬空,Vin<Vbat,Vin<3.8V等

 大电流输出设计 由于 LN4056 采用了内部恒定功率技术,因此当输入 VIN 和 BAT 压差过大时,会导致大电流的 BAT 电压区间变小,从而 充电时间会变长,为了使大电流充电的区间变大,可以通过外置电阻或者肖特基的方法来实现。 假设 LN4056 的 ESOP8 封装内部大允许功率为 1.2W,充电大电流设置为 1.0A。如果采用的是电阻,我们假设采用的 是 0.5 欧姆(1W)电阻,在大电流充电时,厨房家电充电芯片LN4056H兼容LP4056_1A电流充电ICLN4056H小家电方案开发_深圳市恒佳盛电子有限公司,电阻上的压降为 0.5*1.0=0.5V,LN4056 的真正工作电压为 4.4V。于是,在此状态下, (VIN-VBAT)*1.0<1.2W,因此 VBAT>3.4V,电池电压为 3.4V 以上都支持 1.0A 充电,低于 3.4V,则 LN4056 会自动减小充电 电流以维持芯片内部功率平衡。 如果采用的是肖特基,根据肖特基在不同电流下的压降可以做出类似的计算。 另外在大电流应用中需要注意 LN4056 在 PCB 布线设计时,必须考虑增加 EXPOSED PAD 的面积,并将 EXPOSED PAD 与 GND 相连,以此提高散热性能,厨房家电充电芯片LN4056H兼容LP4056_LN4056H电源管理IC MOS管_深圳市恒佳盛电子有限公司,保证芯片稳定工作。


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■ 引脚功能 

 TEMP(引脚1):将TEMP管脚接到电池的NTC传感器的输出端。如果TEMP管脚的电压小于输入电压的30%或者大于输入 电压的60%,意味着电池温度过低或过高,则充电将被暂停。如果TEMP在输入电压的30%和60%之间,则电池故障状态将 被清除,充电将继续。 

 ISET(引脚2):充电电流编程,充电电流监控和关闭端。充电电流由一个精度为1%的接到地的电阻控制。在恒定充电电流 状态时,此端口提供1V的电压。在所有状态下,此端口电压都可以用下面的公式测算充电电流。 IBAT = (VISET/RISET) ×960 ISET 端口也可用来关闭充电器。把编程电阻同地端分离,芯片内部可以通过上拉的 3µA 电流源拉高 ISET 端口电压。当达 到 1.21V 的极限停工电压值时,充当器进入停止工作状态,充电结束,输入电流降至 25µA。此端口夹断电压大约 2.4V。通 过使 ISET 电阻和地端结合,充电器回到正常状态。 

 GND(引脚 3):接地端,EXPOSED 管脚也需要跟引脚 3 相连。 

 VIN (引脚4):提供正电压输入。VIN管脚必须有至少1µF的旁路电容。当VIN降到BAT端电压30mV以内时,LN4056停止 充电,厨房家电充电芯片LN4056H兼容LP4056_上海南麟LN4056H兼容XT4077_深圳市恒佳盛电子有限公司,此时BAT端口的消耗电流小于0.1uA。 

 BAT (引脚5):将电池的正端连接到此管脚。在充满时,如果VIN没有移除,BAT消耗电流大约为2uA。在充电过程中,如果移除VIN,则BAT管脚的消耗电流小于0.1uA。 

 DONE(引脚6):当充电结束时,DONE管脚被内部开关拉到低电平,表示充电已经结束;否则DONE管脚处于高阻态。 

 CHRG(引脚7):当充电器向电池充电时,CHRG管脚被内部开关拉到低电平,表示充电正在进行;否则CHRG管脚处于高 阻态。 

 CE(引脚8):此管脚可以控制芯片是否充电,接高电平使能充电,低电平关断充电,关断充电后芯片的静态功耗在20uA 以下;


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1.0A 具有 USB 接口兼容的线性电池管理芯片

LN4056 是可以对单节可充电锂电池进行恒流/恒压充电 的充电器电路元器件。该器件内部包括功率晶体管,应用时 不需要外部的电流检测电阻和阻流二极管。LN4056 只需要 极少的外围元器件,并且符合 USB 总线技术规范,非常适 合于便携式应用的领域。 热调制电路可以在器件的功耗比较大或者环境温度比较 高的时候将芯片温度控制在安全范围内。充电电流通过一个 外部电阻设置。当输入电压(交流适配器或者 USB 电源) 掉电时,LN4056 自动进入低功耗的睡眠模式,此时电池的 电流消耗小于 0.1µA。当电池电压高于输入电压时,自动关闭 内置功率 MOSFET。其它功能包括输入电压过低锁存,自动 再充电,电池温度监控以及充电状态/充电结束状态指示等功 能。LN4056 可以通过使能引脚关断充电,关断状态下芯片 的静态功耗在 20uA 以下; 在 VIN 不接入的情况下,支持电池反接保护功能,当电 池反接后,芯片会有 800uA 的功耗,但不会导致 BAT 端口 损伤。电池接入正常后,芯片解除保护,恢复正常模式。 LN4056 采用散热增强型的 8 管脚小外形封装 ESOP8。

■ 产品特点  可编程使充电电流可达 1.0A  不需要外部 MOSFET,传感电阻和阻流二极管  小的尺寸实现对锂离子电池的完全线性充电管理  恒电流/恒电压运行和热度调节使得电池管理效力高,没有热度过高的危险  从 USB 接口管理单片锂离子电池  充电电流输出监控  充电状态指示标志和充满状态标志  1/10 充电电流终止  自动再充电  停止工作时提供 40A 电流  2.9V 涓流充电阈值电压  软启动限制浪涌电流  当拔掉 VIN 时,IC 不消耗电池能量  电池反接保护功能  采用 ESOP8 以及客户订制的封装形式 ■ 封装  ESOP8


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山寨液晶电视就是刘莅所说的新的“山寨科技”产品之一。2008年8月中旬,经过10天的公示,广东省信息产业厅官方网站挂出的“关于广东省发展平板显示产业财政扶持资金项目公示的通知”进入了正式实施阶段。其中包括液晶电视集成制造、OLED(有机发光二极管)屏商用及配套设备三大类别的财政补贴项目共计31个,每个项目将获得2000万元补贴。据统计,有14家处在山寨平板链条上的企业获得了共计2.8亿元的补贴。对此,创维集团有关人士认为,对中小型液晶面板生产企业的技术补贴,其实是为了“招安”这些山寨企业,使其整机制造水平能达标,而这也为创维、TCL等向这些企业释放OEM订单创造了条件。   事实上,在宏观经济狂热的2006年和2007年,“中国芯”的问题已经显现。中国半导体行业协会理事长俞忠钰表示,2002-2006年国内集成电路设计业销售收入由2002年的21.6亿元扩大到2006年的186.2亿元,4年翻了3番,年均复合增长率达到71.3%,为同期全球最高。但自2007年开始,国内IC设计业整体发展速度明显放缓,深层次矛盾日益暴露:国内有近500家设计企业,企业小而散,全部销售额不及世界排名前几位设计公司一个公司的营业额;多数企业开发的IC产品方向窄,档次低,企业间产品同质化竞争空前激烈;许多企业运营模式“偏科”,商业模式不适应设计企业需要。近期更受到了此次金融危机的严重冲击,整合重组迫在眉睫。   与2001年全球集成电路产业周期性大萧条不同,这段时间产业不单单面临产能过剩的问题,还面临着全球经济持续低迷,市场需求大幅缩减的另一困境。一方面,最近几年,全球用于半导体产业的投资大幅增加,2007年创下600.9亿美元的新高。这些产能的陆续释放,导致产品供过于求。另一方面,市场需求持续低迷。国际金融危机的爆发,导致欧、美、日等主要电子信息产品市场需求低迷,系统厂商大幅消减半导体芯片订单。美国IC市场下跌了10.5%,欧洲IC市场下跌6.6%,日本IC市场下跌0.7%,占全球市场份额一半的亚太市场也仅增0.4%。在以上双重因素的作用下,超额库存迅速抬头并持续对半导体产品形成价格压力。2008年四季度库存总额超过100亿美元。


供应商信息

公司名称:深圳市恒佳盛电子有限公司

公司地址:广东省深圳市福田区振兴路赛格科技园四栋中520室

所属行业:其他集成电路

联系人:张 林森

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