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产品名称: TC8301

TC8301

产品价格:面议

产品数量:1000000

保质/修期:1

保质/修期单位:

更新日期:2021-06-26

产品说明

一、 特点 

 单通道内置功率 MOS 全桥驱动 

 驱动前进、后退、停止及刹车功能 

 内置迟滞热效应过流保护功能 

 低导通电阻(1.6Ω) 

 连续输出电流可达 1.5A,峰值电流 2.5A 

 采用 SOP-8 封装形式 

二、 产品应用 

 玩具马达驱动


TC1508S兼容SA8302_双马达驱动芯片电动玩具IC-深圳市恒佳盛电子有限公司


双通道内置功率 MOS 全桥驱动TC1508S电源管理IC_双通道内置功率 MOS 全桥驱动电动玩具IC兼容SA8302-深圳市恒佳盛电子有限公司

注:图中 C4(100nF)电容为并接于马达上不是置于 PCB 板上。在不同的应用中,C2、C3 可考虑只 装一个:在 3V 应用中建议用一个 1uF 或以上;在 4.5V 应用中建议用一个 4.7uF 或以上;在 6V 应用中建议 用一个 10uF 或以上;在 7.2V 应用中建议用 22uF 或以上。均为使用贴片电容靠近 IC 之 VDD 管脚放置且电 容的负极和 IC 的 GND 端之间的连线也需尽量短。即不要电容虽然近,但布线、走线却绕得很远。另外当使 用大电解插件电容时,建议再并一个 100nF。当应用板上有大电容在为其它芯片滤波时且离 TC8301 较远也 需按如上要求再放置一个小电容于 TC8301 的 VDD 脚上。图中 C1 在五只电池应用时建议加上,其它方案 可考虑省掉。


遥控车接收四功能带马达IC8D420L四功能马达驱动IC_SOP-16封装电动玩具IC资料-深圳市恒佳盛电子有限公司

十、 芯片使用注意事项 

1、 以上推荐电路及参数仅适用于普通遥控车玩具,其他玩具及电机驱动在使用 TC8301 时请根据实际情况来使 用。 

2、 持续电流驱动能力受封装形式、VDD、芯片差异及环境温度、PCB 材料及厚度等因素影响,规格书给出参数 仅供参考。在实际使用中请根据产品考虑一定的余量。 

3、 TC8301 采用 MOS 工艺设计制造,对静电敏感,要求在包装、运输、加工生产等全过程中需注意做好防静 电措施。 

4、马达启动瞬间的电流值建议不要超过 2.5A。


玩具ICTC1508S峰值电流 2.5A_双通道内置功率 MOS 全桥驱动电动玩具IC峰值电流 2.5A-深圳市恒佳盛电子有限公司

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4 产品概述 该 662K./65K5.系列是一款,低功耗,高电压,正电压调整器的芯片,并采用 CMOS 工 艺和激光微调技术。具有很低的静态偏置电流(10uA Typ. ),它们能在输入、输出电压差极小的 情况下有 300 mA 的输出电流,并且仍能保持良好的调整率。662K./65K5.系列芯片包括一个电流 限制电路,一个驱动器三极管,一个参考电压源和一个误差校正电路。662K./65K5.系列可使 用低 ESR 陶瓷电容。该电流限制器的返回电路可为电流限制器和输出引脚提供短路保护。通过激光 微调技术,可设定芯片的输出电压的范围是 1.5V 至 5.0V,间隔为 0.1V。由于输入输出间的电压差很 小和静态偏置电流很小,这些器件特别适用于希望延长有用电池寿命的电池供电类产品,如计算机、 消费类产品和工业设备等。

1 特性 

 输出电压:±2%,工作电压:6.0V; 

 输出电压:1.5 V~5.0V( 步长0.1V) ;

  极低的静态偏置电流(Typ.=10 uA) ; 

 带载能力强:当Vin=3.75V且Vout=3.3V 时Iout= 300mA ; 

 输入稳定性好:Typ . 0.03 %/V ; 

 低的温度调整系数; 

 可以作为调整器和参考电压来使用; 

 封装形式:SOT23-3(小) 

2 应用 

 电池供电系统; 

 无绳电话设备; 

 无线控制系统; 

 便携/ 手掌式计算机; 

 便携式消费类设备; 

 便携式仪器; 

 电子设备; 

 汽车电子设备; 

 电压基准源。


TC118S马达驱动IC8D420L电机驱动IC_SOP-16封装电动玩具IC电机驱动IC-深圳市恒佳盛电子有限公司

4 产品概述 

该 662K./65K5.系列是一款,低功耗,高电压,正电压调整器的芯片,并采用 CMOS 工 艺和激光微调技术。具有很低的静态偏置电流(10uA Typ. ),它们能在输入、输出电压差极小的 情况下有 300 mA 的输出电流,并且仍能保持良好的调整率。662K./65K5.系列芯片包括一个电流 限制电路,深圳市恒佳盛电子有限公司,CL4006充电稳压集成IC/TC8301马达驱动,恒佳盛电子,一个驱动器三极管,一个参考电压源和一个误差校正电路。662K./65K5.系列可使 用低 ESR 陶瓷电容。该电流限制器的返回电路可为电流限制器和输出引脚提供短路保护。通过激光 微调技术,可设定芯片的输出电压的范围是 1.5V 至 5.0V,间隔为 0.1V。由于输入输出间的电压差很 小和静态偏置电流很小,这些器件特别适用于希望延长有用电池寿命的电池供电类产品,如计算机、 消费类产品和工业设备等。


XT3406/LN3608AR-G代替兼容SY7208_上海南麟LN3608AR-G-深圳市恒佳盛电子有限公司

概述

CL4006是一款线性充电管理集成LDO芯片,内置一个锂电池线性充电管理芯片和一个200mA的低功耗LDO。

内置的线性充电管理芯片采用CC/CV结构,充电电流由外置电阻阻值调节,输出浮充电压为4.24V,符合单节锂电

池特性。芯片内部用时还是具有涓流,过温保护,0V激活等一些保护功能。

LDO的输出电压根据客户要求可以选择。同时内置了限流电路,温度保护电路等功能。考虑到一些应用场合的要求,

我们内部LDO采用低功耗设计,待机功耗2uA左右。

该芯片采用SOT23-6L封装。

特点

◆可编程使充电电流可达500mA

◆不需要MOSFET,传感电阻和阻塞二极管

◆小的尺寸实现对锂离子电池的完全线形充电管理

◆恒电流/恒电压运行和热度调节使得电池管理效力

,没有热度过高的危险

◆从USB接口管理单片锂离子电池

◆精度达到±1%的4.24V预设充电电压

◆充电电流输出监控

◆充电状态指示标志

◆1/10充电电流终止

◆停止工作时提供25μA电流

◆2.9V涓流充电阈值电压

◆软启动限制浪涌电流电流

◆电池欠压保护可激活充电

◆LDO内置过流保护、温度保护

◆待机功耗2uA左右

◆输入欠压状态时,待机功耗不变

引脚功能

PROG(引脚:1):充电电流编程,充电电流监控和关闭端。充电电流由一个精度为1%的接到地的电阻控制PROG脚。

在恒定充电电流状态时,此端口提供1V的电压。在所有状态下,此端口电压都可以用下面的公式测算充电电流:

IBAT = (VPROG/RPROG)×1000

PROG端口也可用来关闭充电器。把编程电阻同地端分离可以通过上拉的2μA电流源拉高PROG端口电压。当达到1.21V

的极限停工电压值时,充当器进入停止工作状态,充电结束,输入电流降至25μA。此端口夹断电压大约2.4V。给此端

口提供超过夹断电压的电压,将获得1.5 mA的高电流。再使PROG和地端结合将使充电器回到正常状态。

GND(引脚2):接地端。

CHRG(引脚3):漏极开路充电状态输出。当充电时,CL4006充电稳压集成IC/TC8301马达驱动,CHRG端口被一个内置的N沟道MOSFET置于低电位。当充电

完成时,CHRG呈现高阻态。当CL4006检测到低电锁定条件时,CHRG呈现高阻态。当在BAT引脚和地之间接一1μF

的电容,就可以完成电池是否接好的指示,当没有电池时,CL4006充电稳压集成IC/TC8301马达驱动,LED灯会快速闪烁。

VOUT(引脚4):LDO输出端,通过BAT供电,提供稳定的输出电压。如果需要LDO功能脚,BAT端必须接上电池。

BAT(引脚5):充电电流输出端。给电池提供充电电流并控制浮动电压达到4.24 V±1%。

VCC(引脚6):提供正电压输入。为充电器供电。VCC可以为4.25V到6.5V并且必须有至少1μF的旁路电容。如果BAT

引脚端电压与VCC的压差降到30mV以内时,CL4006进入停工状态,并使BAT电流降到2μA以下。

正常充电循环

当Vcc引脚电压升至UVLO门限电平以上且在PROG引脚与地之间连接了一个精度为1%的设定电阻器或当一个电

池与充电器输出端相连时,一个充电循环开始。如果BAT引脚电平低于2.9V,则充电器进入涓流充电模式。在该模式中,

CL4006提供约1/10的设定充电电流,以便将电流提升至一个安全的电平,从而实现满电流充电。

当BAT引脚电压升至2.9V以上时,充电器进入恒定电流模式,此时向电池提供恒定的充电第暖流。当BAT引脚电压

达到浮充电压(4.24V)时,则进入恒定电压模式,且充电电流开始减小。当充电电流降至设定值的1/10时,充电

循环结束。

LDO输出脚(VOUT)

CL4006内置一个LDO,能在输入输出电压差极小的情况下提供200mA的输出电流,并且仍能保持良好的调整率。

热限制

如果芯片温度试图升至约120℃的预设值以上,则一个内部热反馈环路将减小设定的充电电流。该功能可防止

CL4006过热,并允许用户提高给定电路板功率处理能力的上限而没有损坏CL4006的风险。在保证充电器将在坏情

况条件下自动减小电流的前提下,可根据典型(而不是坏情况)环境温度来设定充电电流。有关SOT-23-6L功率方面

的考虑将在“热考虑”部分做进一步讨论。

本报综合报道由Intel、微软、惠普、德州仪器、NEC、ST-NXP等业界巨头组成的“USB3.0推动组织”近日宣布,该组织负责制定的新一代USB3.0标准已经正式完成并公开发布。USB3.0标准的最大传输带宽高达5.0Gb/s,是目前广泛使用的USB2.0速度的10倍以上(USB2.0为480Mb/s)。   USB3.0还引入了新的电源管理机制和更高的节能效率,支持待机、休眠和暂停等状态,可广泛用于PC外设和消费电子产品。此外它也向下兼容当前的2.0/1.1等各种标准的产品。   USB3.0最早公布实物是在今年年初的CES(国际消费电子展)上,不过当时只有插头和接口展示,没有实际操作演示,更没有公布具体技术标准。   实际上,“USB3.0”只是俗称,它的正式名称为“USBSuperSpeed”,顺应此前的USB1.1FullSpeed和USB2.0HighSpeed。预计3.0的消费级产品有望在2010年上市。 微软第一财季营收仅增长了2%。微软表示,CL4006充电稳压集成IC/TC8301马达驱动,上网本的日益普及已经开始蚕食其客户端Windows业务营收。   据国外媒体报道称,第一财季微软客户端Windows业务营收增长乏力,比预期低了4个百分点。微软将出现这种情况的原因归咎于传统PC销售增长放慢和上网本日益普及。   市场分析机构DirectionsOnMicrosoft的分析师马特·洛索夫(MattRosoff)表示,微软担心的一个问题是,高价版本Windows在Windows销售量中的比例在不断下滑,这也是上网本日益普及的一个后果。 SEMI将于11月10-13日召开会议,联合业界厂商确定下一代450mm硅晶圆的标准。 在经过几轮争议之后,芯片制造协会Sematech和集成电路产业已经基本确定了所谓的“机械标准”,将450mm硅晶圆的厚度设定在925±25微米,也就是略大于0.9毫米。相比之下,目前的300mm晶圆厚度只有775微米。 下个月,半导体业界将争取指定450mm晶圆的“测试晶圆厚度”标准。 另外Sematech宣布将于2010年前推出32nm工艺的450mm晶圆的演示试用设备,2012年推出试水线并升级到22nm工艺,但没有透露具体何时投产。根据此前消息,Intel、台积电、三星计划在2012年前后完成450mm晶圆厂原型。


供应商信息

公司名称:深圳市恒佳盛电子有限公司

公司地址:广东省深圳市福田区振兴路赛格科技园四栋中520室

所属行业:其他集成电路

联系人:张 林森

手机号码:13723462606