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产品名称: JD6606S

JD6606S

产品价格:面议

产品数量:1000000

保质/修期:1

保质/修期单位:

更新日期:2021-05-16

产品说明

应用信息

GATE驱动N-MOSFET

GATE引脚是漏极开路输出引脚(Open Drain),可以直接驱动N-MOSFET开关。当JD6606S进入Type-C连接状

态时,该引脚会驱动N-MOSFET开启信道。当JD6606S辨识USB Type-C移除连接状态,该引脚则会关闭N-MOS

通道。

Multi-Ports Control

Multi-Ports Control (MPC)用于单一电源提供多组USB输出,深圳市恒佳盛电子有限公司,天德钰JD6606S供应商,恒佳盛电子,将每组芯片的MPC引脚并联后,接上一个100k电阻

到GND,检测电阻上的电压判断为单一USB接口输出或是多组USB输出,当检测为多组USB输出时会自动降低

功率,以符合电源端的所提供输出功率。

VBUS过电压保护

JD6606S检测VBUS引脚上的电压实现过压保护功能。过压保护值为24V(典型值),当发生过压保护后,GATE引

脚会关闭N-MOSFET通道,天德钰JD6606S供应商,JD6606S进入放电状态,然后进入待机状态。如果在待机状态检测电压回复,则会

重新建立USB Type-C和USB-PD联线。

D+/D-数据线过压保护

当D+ /D−引脚在异常情况下被输出电压触及时,D+/D−引脚可能造成损坏。为了保护器件的D+ /D−引脚不受异

常情况下的损坏,操作在DCP (Apple/BC1.2) 模式下,当 D+ / D−引脚的电压触及大于7V时,JD6606S会将输

出电压返回到默认输出电压值 5V。如操作在HVDCP模式下,当 D+ / D−引脚的电压触及大于4V时,亦将输出

电压返回到默认输出电压值 5V。

CC引脚过压保护

当CC引脚在异常情况下被输出电压触及时,该引脚可能造成损坏。为了保护器件的CC引脚不受异常情况下的损

坏,当CC引脚的电压触及大于1.04V x VDD电压时,JD6606S会关闭N-MOSFET通道并进行放电,待CC引脚的

电压降至VDD电压,则会重新建立USB Type-C和USB-PD联线。

分流調整器

透过外部电阻器提供电流时,内部分流调整器会将VDD引脚的电压箝制在6.4 V。这便于透过3.6V至20 V的广泛

输出电压范围从外部为JD6606S供电。如图2.应用线路上建议的值为 R6 = 1.2kΩ±1%,C3 = 470nF。

描述

JD6606S是一款集成的USB Power Delivery 3.0协议控制器。 它也支持华为的快速充电协议(FCP),超级充电协议(SCP)、AFC充电协议和高通的QC 2.0 / 3.0 / 3+充电协议技术,这些技术专为USB Type-C充电应用而设计,如电源适配器,壁式充电器,配电盘等.JD6606S监控CC引脚以检测USB-C型端口插入/拔除。且提供5V至20V的输出电压范围。检测VBUS和VBUSC电压并支持放电功能,以实现兼容的连接端口。此外,JD6606S还监控USB D + / D-数据线,并根据不同的设备要求自动调节输出电压。 其提供3.6V至20V的输出电压范围JD6606S支持CC/CV模式,分别包含用于电压环路和电流环路调节的参考电压,以在高精度控制应用中提供恒定电压(CV)和恒定电流(CC)调节。


原装74HC245TS恒佳兴_封装TSSOP20电视机IC恒佳兴-深圳市恒佳盛电子有限公司

特色

● 通过 USB PD 3.0 认证, TID:3768

● 支持外部电阻设置 10 组 PDO 功能

-- 5V/9V/12V/15V/20V 输出电压

● 支持华为的 FCP 和 SCP 充电协议

● 支持高通的 QC 2.0/3.0/3+充电协议

● 支持 BC 1.2 充电协议及苹果 2.7V/2.7V 充电模式

● 支持恒压和恒流控制模式

● 多 USB 端口控制(MPC)应用

● 多 USB 端口应用支持降功率

● 支援过电压保护

● 支持 VBUS 放电功能

● 支援过流保护

● 提供 CPC-16L 和 SOP-8 EP 封装

应用

● 电源适配器、电源排插

● 车载充电器

● 其他USB输出功率设备

+

● Input Supply Voltage VDD ---------------------------------------------------------------------------- -0.3V to +7V

● CC1, CC2, D-, D+, OPTO ---------------------------------------------------------------------------- -0.3V to +24V

● GATE, VBUS, VBUSC --------------------------------------------------------------------------------- -0.3V to +35V

● CSP, CSN ------------------------------------------------------------------------------------------------ -0.3V to +6.5V

● FBO, IFB, MPC, RPDO ------------------------------------------------------------------------------- -0.3V to +6.5V

● Maximum Junction Temperature (TJ) -------------------------------------------------------------- +150°C

● Storage Temperature (TS) ---------------------------------------------------------------------------- -65°C to +150°C

● Lead Temperature (Soldering, 10sec) ------------------------------------------------------------- +260°C

Package Thermal Resistance, ( JA)

CPC-16L ---------------------------------------------------------------------------------------- TBD

SOP-8 EP -------------------------------------------------------------------------------------- 60°C/W

Package Thermal Resistance, ( JC)

CPC-16L ---------------------------------------------------------------------------------------- TBD

SOP-8 EP --------------------------------------------------------------------------------------- 15°C/W

推荐的操作条件

● Input Supply Voltage (VDD) ------------------------------------------------------------------------- +3.2V to +6.8V

● Operating Temperature Range (TA) ---------------------------------------------------------------- -40°C to +125°C

全球核心硅片市场2007年强劲增长。但据iSuppli公司,只有市场中的领先厂商受益最多,它们的市场份额继续上升,挤占规模较小厂商的份额。该市场由ASIC、可编程逻辑器件(PLD)和专用标准产品(ASSP)构成。 2007年全球核心硅片市场从2006年的929.7亿美元增长至991亿美元,增长率为6.6%。 谈到半导体,一般人可能会想到内存或微处理器。实际上,天德钰JD6606S供应商,核心硅片是半导体市场中最大的单一领域,占总体营业收入的36%以上。 按总体核心硅片营业收入排名,第一位仍然是德州仪器,2007年销售额为74亿美元,不过比2006年下降了4.1%。英特尔继续位居第二,高通和索尼分别跃升至第三和第四位。只有IBM微电子公司因游戏机芯片销售不佳而跌出了前10名。该公司2006年的游戏机半导体出货量,满足了2007年的很大一部分需求。表1所示为iSuppli公司对2007年10大核心硅片供应商的排名。 表1:2007年10大核心硅片供应商(按营业收入排名,以百万美元计)   产品内涵日趋复杂。1971年第一款4004CPU问世时,芯片上的晶体管数量为2300只,天德钰JD6606S供应商,到2007年酷睿二4核CPU推出时,晶体管数量已达8亿只,数量增加了近40万倍。DRAM已经由最初的SDRAM发展到DDRIII,容量也由最初的1K一路提升至2G。NAND、NOR型闪存正改变着人类传统的存储方式。铁电介质存储器、磁介质存储器以及聚合物存储器等众多非易失性存储器也开始得到不同程度的应用。在加工继续精细和对芯片I/O功能更高要求的推动下,集成电路产品朝向SoC、MCP、SiP等功能化演进。 RamtronInternationalCorp.可能不得不重新发布其最新业绩,因为有一家未透露身份的客户要求退款,以补偿Ramtron存储产品在使用过程中发生故障所造成的损失。 Ramtron不愿意透露这家客户要求的赔偿金额,也不愿意说明故障所造成的确切损失,只是说属于“制造过程缺陷”。 Ramtron表示,一直在“密切与制造供应商和客户合作”以确定故障的根本原因。根据迄今为止的调查结果和对故障产品的评估,Ramtron已得出结论,认为是Ramtron器件的制造过程缺陷与客户最终产品的独特使用方式共同导致了故障。 Ramtron强调指出,已采取正确行动,客户继续从该公司购买产品。Ramtron的多数芯片由富士通生产,但Ramtron不愿意证实故障器件是否是富士通的产品。


供应商信息

公司名称:深圳市恒佳盛电子有限公司

公司地址:广东省深圳市福田区振兴路赛格科技园四栋中520室

所属行业:其他集成电路

联系人:张 林森

手机号码:13723462606