产品详情
面议

产品名称: XT4054K421MR-G

XT4054K421MR-G

产品价格:面议

产品数量:3000000

保质/修期:2

保质/修期单位:

更新日期:2021-04-04

产品说明


单节锂电充电HX4065代理商_质量好HX4065-深圳市恒佳盛电子有限公司

产品概述

XT4054 是一个完善的单片锂离子电池恒流/恒压线性电

源管理芯片。它薄的尺寸和小的外包装使它适用于便携式产

品的应用。更值得一提的是,XT4054 专门设计适用于 USB

的供电规格。得益于内部的 MOSFET 结构,在应用上不需

要外部电阻和阻塞二极管。在高能量运行和高外围温度时,

热反馈可以控制充电电流以降低芯片温度。

充电电压被限定在 4.2V,充电电流通过外部电阻调节。

在达到目标充电电压后,当充电电流降低到设定值的 1/10

时,XT4054 就会自动结束充电过程。当输入端(插头或 USB

提供电源)拔掉后,XT4054 自动进入低电流状态,电池漏

电流将降到 2µA 以下。XT4054 还可被设置于停止工作状态,

使电源供电电流降到 25µA。

其余特性包括:充电电流监测,输入低电压闭锁,自动

重新充电和充电已满及开始充电的标志。

■ 产品特点  可编程使充电电流可达 500mA.

 不需要 MOSFET,传感电阻和阻塞二极管

 小尺寸实现对锂离子电池的完全线性充电管理

 恒流/恒压运行和热度调节使得电池管理效力高,没

有热度过高的危险

 从 USB 接口管理单片锂离子电池

 预设充电电压为 4.2V 1%

 充电电流输出监测  充电状态指示标志

 1/10 充电电流终止

 停止工作时提供 25µA 电流

 2.9V 涓流充电阈值电压

 软启动限制浪涌电流

■ 封装  SOT23-5L

■ 用途  手机,单节锂电充电XT4054K421MR-G代理商,PDA,MP3

 蓝牙应用

注:C1=4.7uF,C2=10uF,IBAT = (VPROG/RPROG)*1000


充电管理ICLN3608AR-G充电加升压_质量好LN3608AR-G-深圳市恒佳盛电子有限公司

■ 引脚功能

CHRG(引脚 1):漏极开路充电状态输出。当充电时,CHRG 端口被一个内置的 N 沟道 MOSFET 置于低电位。当充电完成时,

CHRG 呈现高阻态。当 XT4054 检测到低电锁定条件时,CHRG 呈现高阻态。当在 BAT 引脚和地之间接一 1µF 的电容,就可以

完成电池是否接好的指示,当没有电池时,LED 灯会快速闪烁。

GND(引脚 2):接地端

BAT(引脚 3):充电电流输出端。给电池提供充电电流并控制浮动电压最终达到 4.2V。一个内部精密电阻把这个引脚同停工时

自动断电的浮动电压分开。

VIN(引脚 4):提供正电压输入。为充电器供电。VIN 可以为 4.25V 到 6.5V 并且必须有至少 1µF 的旁路电容。VIN 下降沿时当

VIN 和 VBAT 压差降到 30 mV 以内时,XT4054 进入停工状态,并使 BAT 电流降到 2µA 以下。

PROG(引脚 5):充电电流编程,充电电流监控和关闭端。充电电流由一个精度为 1%的接到地的电阻控制。在恒定充电电流状

态时,此端口提供 1V 的电压。在所有状态下,此端口电压都可以用下面的公式测算充电电流:IBAT = (VPROG/RPROG)×1000。

PROG 端口也可用来关闭充电器。把编程电阻同地端分离可以通过上拉的 3µA 电流源拉高 PROG 端口电压。当达到 1.21V 的极

限停工电压值时,单节锂电充电XT4054K421MR-G代理商,充电器进入停止工作状态,充电结束,输入电流降至 25µA。此端口悬空电压大约 2.4V。给此端口提供超过此

电压值的电压,将获得 1.5 mA 的高电流。再使 PROG 和地端结合将使充电器回到正常状态。


升压模块LN6291厂家_原装电动玩具IC-深圳市恒佳盛电子有限公司

DW03D/H.

662K.

DW01A

DW01KA

LTH7R./C

9017R.

74HC164D

FM5887C

.8205A

FM116C

.8205S/G

9926

FM5059A

TC8301.

FS8205A/GC

B628./C

DW07D

DW06D/H

TC4056A

TC118S

FM4057S52

LN1132P282MR

LN1132P332MR

LN1134A182MR

LN1134A252MR

LN1134A282MR

LN1134A302MR

LN1134A332MR

LN2054Y42AMR

LN2401AMR

LN3608AR

LN4056H

LN4913NR

LN4913SRB

LN61CC2702MR

LN61CN2702MR

LN61CN3002MR

LN6206P132MR

LN6206P152MR

LN6206P182MR

LN6206P252MR

LN6206P282MR

LN6206P302MR

LN6206P332MR

LN6291

NP2300MR-Y-G

NP2301BVR-G

NP2N10MR-G

NP2N10VR-G

NP3403MR-G

NP3407MR-G

NP3407VR-G

NP4836SR

XT1861B332MR

XT1861B362MR

XT2051Y2ASR

XT2055Y42AMR

XT3406AFMR

XT4054K421MR

QX2303L30E

QX2303L30T

QX2303L33F

QX2303L33T

QX2303L36T

QX2303L50E

QX2303L50F

QX2303L50T

QX2304L28T

QX2304L30T

QX2304L33E

QX2304L33F

QX2304L33T

QX2304L36E

QX2304L36T

QX2304L50T

QX5252F

QX9920

ME2108A30M3G

ME2108A30PG

ME2108A33M3G

ME2108A33PG

ME2108A36M3G

ME2108A50PG

ME2108C50M5G

ME2139FM5G

ME2188A28M3G

ME2188A30M3G

ME2188A30PG

ME2188A33M3G

ME2188A33XG

ME2188A50PG

ME2188A50XG

ME2805A263XG

ME2807A27M3G

ME2807A30M3G

ME2807A33M3G

ME2807A35M3G

ME2807A42M3G

ME2807A45M3G

ME2808A28M3G

ME2808A33M3G

ME2808A50M3G

ME4057ASPG

ME4057ASPG-N

ME4057DSPG

ME431AXG

ME6118A33B3G

ME6118A33PG

ME6118A50B3G

ME6119C33M5G

ME6203A33M3G

ME6203A50M3G

ME6203A50PG

ME6206A15M3G

ME6206A15XG

ME6206A18M3G

ME6206A18PG

ME6206A20M3G

ME6206A25M3G

ME6206A25XG

ME6206A27M3G

ME6206A28M3G

ME6206A30M3G

ME6206A30PG

ME6206A30XG

ME6206A33M3G

ME6206A33PG

ME6206A33XG

ME6206A36M3G

ME6206A36PG

ME6208A30PG

ME6208A33M3G

ME6208A33PG

ME6208A50PG

ME6209A25M3G

ME6209A30M3G

ME6209A30PG

ME6209A33M3G

ME6209A33PG

ME6209A36M3G

ME6209A36PG

ME6209A40M3G

ME6209A40PG

ME6209A45PG

ME6209A50M3G

ME6209A50PG

ME6210A36PG

ME6210A30PG

ME6210A50PG

ME6211A12M3G-N

ME6211A25M3G-N

ME6211A28M3G-N

ME6211A30M3G-N

ME6211A33M3G-N

ME6211A33PG-N

ME6211C12M5G-N

ME6211C15M5G-N

ME6211C18M5G-N

ME6211C25M5G-N

ME6211C28M5G-N

ME6211C30M5G-N

ME6211C33M5G-N

ME6211C50M5G-N

ME6212C12M5G

ME6212C28M5G

ME6212C33M5G

ME6216A20XG

ME6216A30M3G

ME6216A30XG

ME6219C28M5G

ME6219C30M5G

ME6219C33M5G

ME6221CM5G

ME6228A30M3G

ME6228A33M3G

ME6228A33PG

ME6228A50M3G

MEL7136BM5G


原装HX4065解决方案_专业HX4065-深圳市恒佳盛电子有限公司

北京时间7月25日硅谷动力从国外媒体处获悉:周二欧洲最大的芯片制造商意法半导体发表第二季度财报,由于注销了转移到与英特尔合资闪存部门的资产及重组费用,季度亏损达到7.58亿美元,合-84美分/股。去年同期为盈利1.68亿美元合18美分/股。   如果不包括注销资产带来的9.06亿美元损失,利润数字符合分析师的预期。二季度公司销售收入下降3.1%至24.2亿美元。分析师的预期是24.4亿美元。由于供应过剩和竞争加剧阻碍了芯片行业的发展,上月半导体行业协议(SIA)将今年全球芯片销售增长率从10%下调到1.8%。   这家1987年由意大利及法国芯片国有芯片公司合并而成的意法半导体公司股票,当日在米兰股股市下跌2.6%收于13.72欧元/股,市值达到125亿欧元(约合173亿美元)。今年该股已经下跌2.4%。 据国外媒体报道,深圳市恒佳盛电子有限公司,单节锂电充电XT4054K421MR-G代理商,恒佳盛电子,全球第二大储存芯片制造商、英飞凌分拆的新公司奇梦达宣布,为了提高产品销售,它计划将在新加坡构建一个300毫米晶圆工厂。   奇梦达表示,未来五年内新工厂将投资20亿欧元(约合27亿美元),将建立一个二万平米的绝对无尘室,每月的产量将达到六万个晶圆。在达到最高产量时将雇用1500名员工。   新工厂计划从今年晚些时候开始构建,预期2009年开始投入生产。新加坡的工厂将是奇梦达拥有的第三个300毫米晶圆工厂,类似的工厂在德国的德累斯顿和维吉尼亚(Virgina)的里齐蒙得(Richmond)。   市场调研机构IDC表示,从长远观点看,DRAM储存芯片的需求将增长,受到计算机需求增长的推动,从目前到2011年,DRAM储存芯片的年复合增长率将达到43%。 AvagoTechnologies(安华高科技)今日宣布,完成新一代850nm垂直腔表面发射激光器(VCSEL,VerticalCavitySurfaceEmittingLaser)的完整TelcordiaGR-468-CORE认证,这些VCSEL目前已经进行批量生产,并已应用在更高速的光纤产品中。III-V技术,例如VCSEL在确保光纤产品制造的供应、可靠度和高质量上扮演了关键的角色,包括10Gb/s以太网、8Gb/s光纤信道收发器和6.25Gb/s并行光纤收发器等采用Avago新一代VCSEL技术的产品目前已经可以提供样品,并计画在今年稍后进入批量生产。 通过自有的10Gb/sVCSEL货源,Avago在持续保有通信和储存产业领导地位上占据了有利的战斗位置,单节锂电充电XT4054K421MR-G代理商,AvagoIII-V产品副总裁TimGallagher指出:“我们的10GbVCSEL技术已经通过延伸温度范围的验证,能够支持要求较高的客户端应用并带来密度更高的系统,同时Avago的集成制造设施更能够降低成本,我们的生产策略也将确保产品的供应无虞。”Avago在数个III-V技术领域上,包括VCSEL、FP激光、DFB激光以及无冷却EML激光上都拥有领先业内的研制能力。


供应商信息

公司名称:深圳市恒佳盛电子有限公司

公司地址:广东省深圳市福田区振兴路赛格科技园四栋中520室

所属行业:其他集成电路

联系人:张 林森

手机号码:13723462606