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产品名称: LN61CN3302MR

LN61CN3302MR

产品价格:面议

产品数量:3000000

保质/修期:2

保质/修期单位:

更新日期:2021-04-04

产品说明

■ 工作原理 ① VIN 高于 VDF,输出为高。

② VIN 电压低于 VDF,VOUT 输出为 GND。 ③ 随着 VIN 的降低,若 VIN 处在 IC 小工作电压以下就会导致输出不稳定,在输出被上拉的情况下,输出电平将跟随 VIN。 ④ VIN 降到 GND,输出为 GND。 ⑤ VIN 上升,但低于小工作电压,输出电平跟随 VIN。 ⑥ VIN 大于 VDR,输出为高电平。


原装价优LN3608AR-G解决方案_质量好LN3608AR-G-深圳市恒佳盛电子有限公司


高效率升压DCDCLN6291_升压转换器电动玩具IC-深圳市恒佳盛电子有限公司

深圳市恒佳盛电子有限公司成立于2010年5月20日,是一家集代理、配套和技术方案的综合型企业,一直专注于电源管理IC和MOS管,原厂正规授权代理的品牌有:微盟、拓微、南麟、富满、泉芯,且拥有自主品牌:恒佳兴。产品广泛应用于:无线充、移动电源、无人机、安防监控、车载导航、行车记录、玩具等领域。

公司秉着仓储式的经营理念,以诚信、专业、感恩、共赢为宗旨,让客户买得放心、用得舒心、合作开心!向客户提供满意的服务为已任,通过强大的体系向企业提供规范化、专业化、多元化和服务,深受国内外厂家、经销商的信赖和支持!

通过多年的努力,复位芯片LN61CN3302MR供应商,公司管理日趋完善,拥有丰富的产品资源、技术实力雄厚的研发团队、销售精英和高素质的服务团队,愿与上下游合作伙伴,一起携手共进,互惠共赢,为助力中国芯发扬光大的力量!

企业使命:以专业的理念和的服务,为客户创造价值,复位芯片LN61CN3302MR供应商,为助力中国芯发扬光大而不懈努力。

企业宗旨:专注电源IC MOS,致力实现客户、团队、企业共赢

企业愿景:成为专业的电源IC MOS运营商

企业核心价值观:诚信专业感恩共赢


原装LN4056H_ESOP8封装LN4056H-深圳市恒佳盛电子有限公司

DW03D/H.

662K.

DW01A

DW01KA

LTH7R./C

9017R.

74HC164D

FM5887C

.8205A

FM116C

.8205S/G

9926

FM5059A

TC8301.

FS8205A/GC

B628./C

DW07D

DW06D/H

TC4056A

TC118S

FM4057S52

LN1132P282MR

LN1132P332MR

LN1134A182MR

LN1134A252MR

LN1134A282MR

LN1134A302MR

LN1134A332MR

LN2054Y42AMR

LN2401AMR

LN3608AR

LN4056H

LN4913NR

LN4913SRB

LN61CC2702MR

LN61CN2702MR

LN61CN3002MR

LN6206P132MR

LN6206P152MR

LN6206P182MR

LN6206P252MR

LN6206P282MR

LN6206P302MR

LN6206P332MR

LN6291

NP2300MR-Y-G

NP2301BVR-G

NP2N10MR-G

NP2N10VR-G

NP3403MR-G

NP3407MR-G

NP3407VR-G

NP4836SR

XT1861B332MR

XT1861B362MR

XT2051Y2ASR

XT2055Y42AMR

XT3406AFMR

XT4054K421MR

QX2303L30E

QX2303L30T

QX2303L33F

QX2303L33T

QX2303L36T

QX2303L50E

QX2303L50F

QX2303L50T

QX2304L28T

QX2304L30T

QX2304L33E

QX2304L33F

QX2304L33T

QX2304L36E

QX2304L36T

QX2304L50T

QX5252F

QX9920

ME2108A30M3G

ME2108A30PG

ME2108A33M3G

ME2108A33PG

ME2108A36M3G

ME2108A50PG

ME2108C50M5G

ME2139FM5G

ME2188A28M3G

ME2188A30M3G

ME2188A30PG

ME2188A33M3G

ME2188A33XG

ME2188A50PG

ME2188A50XG

ME2805A263XG

ME2807A27M3G

ME2807A30M3G

ME2807A33M3G

ME2807A35M3G

ME2807A42M3G

ME2807A45M3G

ME2808A28M3G

ME2808A33M3G

ME2808A50M3G

ME4057ASPG

ME4057ASPG-N

ME4057DSPG

ME431AXG

ME6118A33B3G

ME6118A33PG

ME6118A50B3G

ME6119C33M5G

ME6203A33M3G

ME6203A50M3G

ME6203A50PG

ME6206A15M3G

ME6206A15XG

ME6206A18M3G

ME6206A18PG

ME6206A20M3G

ME6206A25M3G

ME6206A25XG

ME6206A27M3G

ME6206A28M3G

ME6206A30M3G

ME6206A30PG

ME6206A30XG

ME6206A33M3G

ME6206A33PG

ME6206A33XG

ME6206A36M3G

ME6206A36PG

ME6208A30PG

ME6208A33M3G

ME6208A33PG

ME6208A50PG

ME6209A25M3G

ME6209A30M3G

ME6209A30PG

ME6209A33M3G

ME6209A33PG

ME6209A36M3G

ME6209A36PG

ME6209A40M3G

ME6209A40PG

ME6209A45PG

ME6209A50M3G

ME6209A50PG

ME6210A36PG

ME6210A30PG

ME6210A50PG

ME6211A12M3G-N

ME6211A25M3G-N

ME6211A28M3G-N

ME6211A30M3G-N

ME6211A33M3G-N

ME6211A33PG-N

ME6211C12M5G-N

ME6211C15M5G-N

ME6211C18M5G-N

ME6211C25M5G-N

ME6211C28M5G-N

ME6211C30M5G-N

ME6211C33M5G-N

ME6211C50M5G-N

ME6212C12M5G

ME6212C28M5G

ME6212C33M5G

ME6216A20XG

ME6216A30M3G

ME6216A30XG

ME6219C28M5G

ME6219C30M5G

ME6219C33M5G

ME6221CM5G

ME6228A30M3G

ME6228A33M3G

ME6228A33PG

ME6228A50M3G

MEL7136BM5G


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升压转换器LN3608AR-G代替兼容MT3608_质量好LN3608AR-G-深圳市恒佳盛电子有限公司

■ 产品概述

LN61C 系列芯片是使用 CMOS 技术开发的高精度、低功耗、

小封装电压检测芯片。检测电压在小温度漂移的情况下保持

精度。客户可选择 CMOS 输出或 Open Drain 输出。

■ 产品特点  高精度:±2%

 低功耗:2.0µA(VIN=1.5V)  检测电压范围:1.0V~6.0V,100mV 步进

 工作电压范围:0.7V~7.0V

 检测电压温度特性:±100ppm(typ.)

 输出配置:N-channel open drain 或 CMOS

■ 用途  微处理器复位电路

 存储器电池备份电路

 上电复位电路

 供电失效检测

 系统电池寿命和充电电压监视。

 窗比较器

 波形锐化电路

■ 封装  SOT23-3L

LN61C ①②③④⑤⑥⑦-⑧

数字项目 符号 描述

输出形式:

C CMOS

N N-ch open drain

②③ 10-60

检测电压:

例如:10=1.0V,38=3.8V

④ 0 输出延时:0=没有延时

⑤ 2 检测精度:±2%

⑥ M 封装类型:SOT23-3L

产品包装卷带信息: R 卷带: 正向

L 卷带: 反向

⑧ G 绿料

引脚说明

引脚号

符号 引脚说明

SOT23-3L

3 VIN 电源输入端

2 GND 接地端

1 VOUT 检测输出端

② 代表输出配置和检测电压范围

符号 输出配置 检测电压范围

A CMOS 0.1~3.0

B CMOS 3.1~6.0

N OPEN DRAIN 0.1~3.0

P OPEN DRAIN 3.1~6.0


风扇方案FM5012B解决方案_SOT-23-6封装FM5012B-深圳市恒佳盛电子有限公司

 (Ta=25℃)

参数 符号 值 单位

输入电压 VIN 8 V

输出电流 Iout 50 mA

输出电压

CMOS

Vout

GND-0.3~VIN+0.3

V N-ch GND-0.3~8

功耗 SOT23-3L Pd 150 mW

工作温度 Topr -40~+85 ℃

贮存温度 Tstg -40~+125 ℃

荷兰飞利浦电子(RoyalPhilipsElectronics)旗下的技术孵化公司日前表示已把SiliconHive分拆出来。SiliconHive是处理器与相关知识产权(IP)的授权商。作为分拆协议的一部分,NewVenturePartners、TVMCapital和飞利浦将一共向分拆出来的新公司投资1,000万美元。 飞利浦在新公司SiliconHiveB.V.中保留少数股权,后者计划大力向新市场和新领域扩张。 SiliconHiveB.V.表示,作为一家独立的半导体IP供应商,它在向整个电子产业提供授权方面将拥有自主权。SiliconHiveB.V.将在Eindhoven(荷兰)、硅谷(美国)、首尔(韩国)和班加罗尔(印度)设立办事处。 这是飞利浦技术孵化公司接连分拆出来的第二家公司。 SiliconHive所专门从事的IP,可以使半导体公司生产完全可编程的SoC,用于移动电视、移动WiMax、视频成像和高分辨率视频信号处理。该部门四年前成立,已为通讯和媒体处理应用开发了一系列处理器内核,并开发了复杂的硬件与软件设计流。 美国东部时间7月2日4:00(北京时间7月2日16:00)消息,中芯国际和Saifun半导体今天宣布,两家公司已经达成协议,Saifun将从中芯国际获得90纳米生产工艺的知识产权和技术。此次知识产权收购是中芯国际和Saifun在开发合作方面迈出的第一步,两家公司未来将在下一代技术上继续合作。   基于90纳米生产工艺的首批中芯国际数据(NAND)闪存产品样本已经开始发货,预计将于今年晚些时候进入市场。这批产品的存储容量为2GB,采用了SaifunNROM技术,深圳市恒佳盛电子有限公司,复位芯片LN61CN3302MR供应商,恒佳盛电子,在采用相同技术的数据闪存中密度最大。下一代产品的存储容量为8GB,将采用SaifunQuadNROM技术,预计将于2008年初进入市场。 索尼爱立信已开始在北京建设一处新工厂,此举显示该公司将中国作为其重要的全球制造基地。 根据来自新华社的报道,新工厂占地18,500平方米,将用于制造手机和表面封装电路板。 索尼爱立信中国负责人GunillaNordstron表示,新工厂的建设将巩固中国的战略开发基地位置。中国是该公司唯一覆盖设计、制造、外包、研发以及全球销售和市场活动的据点。 新工厂位于索尼两处工厂中间,复位芯片LN61CN3302MR供应商,分别是制造手机的BeijingSePutianMobileCommunications(BMC)和制造PCB板的BeijingSuohongElectronics。 索尼爱立信中国分公司发言人表示,BMC占据了该公司全球约三分之一的产能,出货到全球119个国家和地区,但拒绝透露新工厂的生产能力。


供应商信息

公司名称:深圳市恒佳盛电子有限公司

公司地址:广东省深圳市福田区振兴路赛格科技园四栋中520室

所属行业:其他集成电路

联系人:张 林森

手机号码:13723462606