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产品名称: LN4056H

LN4056H

产品价格:面议

产品数量:3000000

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更新日期:2021-04-04

产品说明


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■ 产品概述 LN4056 是可以对单节可充电锂电池进行恒流/恒压充电 的充电器电路元器件。该器件内部包括功率晶体管,应用时 不需要外部的电流检测电阻和阻流二极管。LN4056 只需要 极少的外围元器件,并且符合 USB 总线技术规范,非常适 合于便携式应用的领域。 热调制电路可以在器件的功耗比较大或者环境温度比较 高的时候将芯片温度控制在安全范围内。充电电流通过一个 外部电阻设置。当输入电压(交流适配器或者 USB 电源) 掉电时,LN4056 自动进入低功耗的睡眠模式,此时电池的 电流消耗小于 0.1µA。当电池电压高于输入电压时,自动关闭 内置功率 MOSFET。其它功能包括输入电压过低锁存,自动 再充电,电池温度监控以及充电状态/充电结束状态指示等功 能。LN4056 可以通过使能引脚关断充电,关断状态下芯片 的静态功耗在 20uA 以下; 在 VIN 不接入的情况下,支持电池反接保护功能,当电 池反接后,芯片会有 800uA 的功耗,南麟LN4056H技术支持,但不会导致 BAT 端口 损伤。电池接入正常后,芯片解除保护,恢复正常模式。 LN4056 采用散热增强型的 8 管脚小外形封装 ESOP8。 ■ 用途  便携式电子设备  充电线

■ 产品特点  可编程使充电电流可达 1.0A  不需要外部 MOSFET,传感电阻和阻流二极管  小的尺寸实现对锂离子电池的完全线性充电管理  恒电流/恒电压运行和热度调节使得电池管理效力 高,没有热度过高的危险  从 USB 接口管理单片锂离子电池  充电电流输出监控  充电状态指示标志和充满状态标志  1/10 充电电流终止  自动再充电  停止工作时提供 40A 电流  2.9V 涓流充电阈值电压  软启动限制浪涌电流  当拔掉 VIN 时,IC 不消耗电池能量  电池反接保护功能  采用 ESOP8 以及客户订制的封装形式 ■ 封装  ESOP8


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■ 引脚功能  TEMP(引脚1):将TEMP管脚接到电池的NTC传感器的输出端。如果TEMP管脚的电压小于输入电压的30%或者大于输入 电压的60%,意味着电池温度过低或过高,则充电将被暂停。如果TEMP在输入电压的30%和60%之间,则电池故障状态将 被清除,充电将继续。  ISET(引脚2):充电电流编程,充电电流监控和关闭端。充电电流由一个精度为1%的接到地的电阻控制。在恒定充电电流 状态时,此端口提供1V的电压。在所有状态下,此端口电压都可以用下面的公式测算充电电流。 IBAT = (VISET/RISET) ×960 ISET 端口也可用来关闭充电器。把编程电阻同地端分离,芯片内部可以通过上拉的 3µA 电流源拉高 ISET 端口电压。当达 到 1.21V 的极限停工电压值时,充当器进入停止工作状态,充电结束,输入电流降至 25µA。此端口夹断电压大约 2.4V。通 过使 ISET 电阻和地端结合,充电器回到正常状态。  GND(引脚 3):接地端,EXPOSED 管脚也需要跟引脚 3 相连。  VIN (引脚4):提供正电压输入。VIN管脚必须有至少1µF的旁路电容。当VIN降到BAT端电压30mV以内时,LN4056停止 充电,此时BAT端口的消耗电流小于0.1uA。  BAT (引脚5):将电池的正端连接到此管脚。在充满时,如果VIN没有移除,BAT消耗电流大约为2uA。在充电过程中,

如果移除VIN,则BAT管脚的消耗电流小于0.1uA。  DONE(引脚6):当充电结束时,DONE管脚被内部开关拉到低电平,表示充电已经结束;否则DONE管脚处于高阻态。  CHRG(引脚7):当充电器向电池充电时,CHRG管脚被内部开关拉到低电平,表示充电正在进行;否则CHRG管脚处于高 阻态。  CE(引脚8):此管脚可以控制芯片是否充电,接高电平使能充电,低电平关断充电,关断充电后芯片的静态功耗在20uA


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■ 应用信息  设定充电电流 在恒流模式,计算充电电流的公式为: ISET= 960V / RISET。其中,ISET 表示充电电流,单位为安培,RISET 表示 ISET 管 脚到地的电阻,单位为欧姆。例如,如果需要 500 毫安的充电电流,可按下面的公式计算: RISET = 960V/0.5A = 1.98KΩ 为了保证良好的稳定性和温度特性,RISET建议使用精度为 1%的金属膜电阻。  同时应用 USB 和交流电适配器充电 LN4056 不但可以利用 USB 接口为电池充电,也可以利用墙上适配器为电池充电。图 4 示出一个同时使用 USB 接口和交流 电适配器通过 LN4056 对电池进行充电的例子,当二者共同存在时,交流电适配器具有优先权。M1 为 P 沟道 MOSFET,M1 用 来阻止电流从墙上适配器流入 USB 接口,肖特基二极管 D1 可防止 USB 接口通过 1K 电阻消耗能量。

 电池温度监测 为了防止电池温度过高或者过低对电池造成的损害,LN4056 内部集成有电池温度监测电路。电池温度监测是通过测量 TEMP 管脚的电压实现的,TEMP 管脚的电压是由电池内的 NTC 热敏电阻和一个电阻分压网络实现的,如图 3 所示。 LN4056将TEMP管脚的电压同芯片内部的两个阈值VLOW 和VHIGH 相比较,深圳市恒佳盛电子有限公司,南麟LN4056H技术支持,恒佳盛电子,以确认电池的温度是否超出正常范围。在LN4056 内部,VLOW 被固定在 30%×VIN,VHIGH 被固定在 60%×VIN。如果 TEMP 管脚的电压 VTEMP<VLOW 或者 VTEMP>VHIGH ,则表示 电池的温度太高或者太低,充电过程将被暂停;如果 TEMP 管脚的电压 VTEMP 在 VLOW 和 VHIGH之间,充电周期则继续。  确定 R1 和 R2 的值 R1 和 R2 的值要根据电池的温度监测范围和热敏电阻的电阻值来确定,现举例说明如下:假设设定的电池温度范围为 TL~ TH,(其中 TL<TH);电池中使用的是负温度系数的热敏电阻(NTC),RTL 为其在温度 TL 时的阻值,RTH 为其在温度 TH 时的 阻值,则 RTL>RTH,那么,在温度 TL 时,管脚 TEMP 端的电压为: 2 TL TEMPL 1 2 TL R / /R V Vin R R / /R    在温度 TH 时,南麟LN4056H技术支持,管脚 TEMP 端的电压为: 2 TH TEMPH 1 2 TH R / /R V Vin R R / /R    然后,由 VTEMPL  VHIGH  K2 VIN(K2  0.6) VTEMPH  VLOW  K1VIN(K1  0.3) 则可解得: TL TH TL TH R R (K2 K1) R1 (R R )K1K2    TL TH TL TH R R (K2 K1) R2 R (K1 K1K2) R (K2 K1K2)      同理,如果电池内部是正温度系数(PTC)的热敏电阻,则 RTH>RTL,我们可以计算得到: TL TH TH TL R R (K2 K1) R1 (R R )K1K2

年内本市将建成首个电子垃圾拆解厂,以解决电子垃圾处理问题。这是昨天记者从“建言首都环保同迎绿色奥运”座谈会上了解到的。   市环保局有关负责人昨天在解答市民关于固体废弃物污染的问题时透露,今年本市计划在通州区马驹桥建成首个处理能力达到每年100万台的电子垃圾拆解厂,用以拆解电脑、冰箱、空调等废旧家电。该负责人表示,电子垃圾拆解厂不会对周边的环境构成不良影响。   据悉,目前本市每年产生旧家电300万台共10多万吨,这些废旧家电目前90%由个体回收,其中大多数流入外省市拆解回收,拆解方式有的原始落后,对环境极易造成污染。 美国应用材料公司(AppliedMaterials)在台湾地区开设了一家新的300毫米晶圆再生厂(waferreclaimcenter)。 应用材料公司的工厂运营服务部门总经理MarkStark表示,这家中心占地3120平米,位于台湾地区的科学工业园区,将包括三个洁净室,向客户提供晶圆再生技术。 应用材料声称,它可以把测试晶圆的生命周期延长45%以上,即每个晶圆可以使用11次。国际半导体设备暨材料协会(SEMI)的一项研究表明,测试晶圆在半导体产业中的使用上升,占总体硅晶圆用量的15%左右。这是因为测试晶圆在300毫米工厂中的使用增加。 MarkStark表示:“通常情况下,晶圆是晶圆厂的最大消耗成本来源。由于整个产业面临硅短缺,晶圆再生服务将得到更多采用,以帮助抵消硅供应有限和非产品晶圆成本上升的影响。” 台积电(TSMC)董事会日前核准资本预算美金2亿500万元,将用以扩充该公司晶圆十二厂的45纳米制程产能。台积电预计于今年九月即可完成45纳米制程验证并开始为客户进行量产,南麟LN4056H技术支持,该制程结合了193纳米浸润式曝光显影制程、应变硅晶(Siliconstrains)以及超低介电系数(Extremelow-kdielectric,ELK)组件连接材料等优势。 台积电计划先推出45纳米低耗电量(LP)制程,之后再推出泛用型(Generalpurpose)及高效能(Highperformance,GS)制程。此外45纳米逻辑制程也提供低耗电量三闸级氧化层(Triplegateoxide,LPG)的制程选择。此三种制程皆提供多种不同运作电压以及1.8伏、2.5伏或3.3伏的输入/输出电压以满足不同产品的需求。台积电并同时宣布推出45纳米制程设计生态环境。


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公司名称:深圳市恒佳盛电子有限公司

公司地址:广东省深圳市福田区振兴路赛格科技园四栋中520室

所属行业:其他集成电路

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