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产品名称: HX4067

HX4067

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更新日期:2021-04-03

产品说明

质量好HX4066批发_质量好HX4066-深圳市恒佳盛电子有限公司
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 单节锂电池充电

 手机、PDA、MP3/MP4

 蓝牙耳机、GPS

 充电座

 数码相机、Mini 音响等便携式设备

7 应用信息

HX4067 是一种高集成度和高可靠

性的低成本线性单电池锂离子充电器,

兼备恒流(CC)模式和恒压(CV)模 式。恒流模式下的电流通过外部电阻 RISET 进行设定,而恒压模式下的电压

一般在 4.2V,不超过 4.3V。如果

电池端的电压低于 3.08V,那么 HX4067

就会从大电流充电变为涓流充电直到

电池端电压高于 3.08V。HX4067 能够通

过 AC 适配器和 USB(通用串行总线)

端口输入供电。

7.1 输入电压过压保护

输入电压由内部比较器监测。OVP 阈值设置为 6.5V(典型值)。当输入电压超

过阈值,芯片启动过压保护机制,控制器输出关闭功率 MOSFET 的逻辑信号以防止

手持式系统中的电子设备不会因为输入电压高而损坏。当然超过耐压值 30V 仍然会

损坏,而且是不可逆的。当输入过电压条件消除后,HX4067经销商,控制器将启用通过运行软启动

再次输出。

7.2 电池充电曲线

右上角图 1 是典型的电池充电曲线图,在充电过程中一开始电池电压低于预充

电阈值,于是电池先开始一段时间的涓流充电;之后电池电压达到充电阈值,HX4067经销商,便开

始恒流充电,这段时间充电电流是大的

接着电池电压通过 BAT 引进反馈调节,当电池电压接近电池调节电压阈值,电

压调节阶段开始,充电电流开始逐渐减少以保护电池寿命,由于这一阶段电压变化

小,所以认为是恒压充电,当电池电压超过电池电压的调节电压阈值时,充电模式

停止。

深圳市恒佳盛电子,专营电源ICMOS管

高耐压充电芯片HX4067供应商_高耐压充电芯片HX4067技术支持-深圳市恒佳盛电子有限公司
高耐压充电芯片HX4067供应商_高耐压充电芯片HX4067技术支持-深圳市恒佳盛电子有限公司

HX4067是一种集成度高、可靠性高的单一锂电池线性充电芯片,可以使用交流电源转接器或USB端口作为电源输入。当电源被移除时,HX4067进入睡眠模式。HX4067芯片充电系统集成3个环路:充电恒流、充电恒压、温度恒定环路、充电系统性能

HX4067采用包括预充电模式、快速充电模式和恒压模式在内的控制算法优化充电过程,充电后维持在恒压模式,使电池始终处于充电状态,其充电电流通过外部电阻设定,HX4067经销商,充电电流配置高达500mA。芯片内部热反馈电路调节核心温度,确保在任何可用环境温度下以良好的速度充电电池。这个功能简单地说,充电时芯片温度上升,充电电流随着温度的上升而在一定程度上减少,内部温度环路稳定时,充电电流稳定,达到恒温充电的效果。HX4067的VIN端可以承受高压30V的电压,集成了输入过压、输入过压、输出过压、输出短路、芯片过温的各种保护功能

2 特性

 输入电压工作范围 4.6V~30V

 输入过压保护电压 6.5V

 外部电阻调节充电电流,支持 500mA

充电电流

 具有恒温充电功能,过温自动调节充电电流

 支持 4.2V、4.35V、4.4V 电池类型

 LED 显示充电状态,支持双色灯显示

 内置 MOSFET,具有防倒灌功能

 涓流/恒流/恒压充电

 输出过流、过压、短路保护

 输入过压、欠压保护

 OTP 过温保护

 4KV ESD 特性

 封装形式:

HX4067 采用 SOT23-6 封装;

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专业HX4066批发_质量好HX4066-深圳市恒佳盛电子有限公司
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7.3 静态模式电流

静态模式下的电流分为两种:一种是电池电压 VBAT=4.2V,无外部电源输入,即 VIN=0V 的条件下,实测的静态电流值 IBAT_STD=0µA ;另外一种是 VIN=5V,没有电池电

压的条件下用电流表实测的静态电流值 IIN_CHG=1.51mA(该电流值包含 CHRG 引脚 LED

的功耗,深圳市恒佳盛电子有限公司,HX4067经销商,恒佳盛电子,实际的静态电流应该减去 LED 的功耗,大约为 400µA。)

7.4 恒温充电和热阻值

HX4067 内部集成温度恒定环路,周围环境温度及芯片温度升高时,会导致充电

电流下降,温度达 125°C 时,电流降为零;当温度恒定时,充电电流趋于稳定,达

到恒温充电的效果,见 Figure4。

HX4067 芯片封装对应结温。封装热阻值的计算,首先推荐的高结温为 125°C,

初始值为 25°C,对于 SOT23-6 的封装,其结温和周围温度之间的热阻 RθJA=210°C /W;

对于 DFN6 的封装,其结温和周围温度之间的热阻 RθJA=32°C /W。两种封装的大功

率损耗计算如下: PD(MAX),SOT23-6 = (125°C-25°C)/(210°C /W) = 0.476W

大功耗取决于环境温度和结温和周围温度之间的热阻 RθJA,环境温度的上升影

响大功耗。

深圳市恒佳盛电子,专营电源ICMOS管

深圳市恒佳盛电子有限公司成立于2004年08月01日,一直专注于电源管理IC和MOS管的开发与销售,是一家集代理、配套和技术方案为一体的综合型企业。

原厂授权代理的品牌有:微盟、南麟、富满、拓微、泉芯、远翔,且拥有自主品牌恒佳兴。产品广泛应用于:智能机器人、无人机、无线充、移动电源、安防监控、车载导航、玩具等领域。

我司一直秉着仓储式的经营理念,以专业、专注、诚信服务为宗旨,向客户提供专业化、多元化、,深受国内外厂家、经销商的信赖和支持!我司真诚的欢迎广大海内外朋友前来洽谈合作,共谋发展和建立长期的合作关系!

年内本市将建成首个电子垃圾拆解厂,以解决电子垃圾处理问题。这是昨天记者从“建言首都环保同迎绿色奥运”座谈会上了解到的。   市环保局有关负责人昨天在解答市民关于固体废弃物污染的问题时透露,今年本市计划在通州区马驹桥建成首个处理能力达到每年100万台的电子垃圾拆解厂,用以拆解电脑、冰箱、空调等废旧家电。该负责人表示,电子垃圾拆解厂不会对周边的环境构成不良影响。   据悉,目前本市每年产生旧家电300万台共10多万吨,这些废旧家电目前90%由个体回收,其中大多数流入外省市拆解回收,拆解方式有的原始落后,对环境极易造成污染。 台积电(TSMC)董事会日前核准资本预算美金2亿500万元,将用以扩充该公司晶圆十二厂的45纳米制程产能。台积电预计于今年九月即可完成45纳米制程验证并开始为客户进行量产,该制程结合了193纳米浸润式曝光显影制程、应变硅晶(Siliconstrains)以及超低介电系数(Extremelow-kdielectric,ELK)组件连接材料等优势。 台积电计划先推出45纳米低耗电量(LP)制程,之后再推出泛用型(Generalpurpose)及高效能(Highperformance,GS)制程。此外45纳米逻辑制程也提供低耗电量三闸级氧化层(Triplegateoxide,LPG)的制程选择。此三种制程皆提供多种不同运作电压以及1.8伏、2.5伏或3.3伏的输入/输出电压以满足不同产品的需求。台积电并同时宣布推出45纳米制程设计生态环境。 美国东部时间7月2日4:00(北京时间7月2日16:00)消息,中芯国际和Saifun半导体今天宣布,两家公司已经达成协议,Saifun将从中芯国际获得90纳米生产工艺的知识产权和技术。此次知识产权收购是中芯国际和Saifun在开发合作方面迈出的第一步,两家公司未来将在下一代技术上继续合作。   基于90纳米生产工艺的首批中芯国际数据(NAND)闪存产品样本已经开始发货,预计将于今年晚些时候进入市场。这批产品的存储容量为2GB,采用了SaifunNROM技术,在采用相同技术的数据闪存中密度最大。下一代产品的存储容量为8GB,将采用SaifunQuadNROM技术,预计将于2008年初进入市场。


供应商信息

公司名称:深圳市恒佳盛电子有限公司

公司地址:广东省深圳市福田区振兴路赛格科技园四栋中520室

所属行业:其他集成电路

联系人:张 林森

手机号码:13723462606