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产品名称: HX4066

HX4066

产品价格:面议

产品数量:3000000

保质/修期:2

保质/修期单位:

更新日期:2021-04-03

产品说明

质量好HX4067价格_高耐压充电芯片资料-深圳市恒佳盛电子有限公司
质量好HX4067价格_高耐压充电芯片资料-深圳市恒佳盛电子有限公司

1 概述

HX4066 是一款兼具高集成度和高可

靠性的单节锂电池线性充电芯片,可以使

用交流电源转接器或 USB 埠作为它的电源

输入。当电源被移除时,HX4066 进入睡

眠模式。HX4066 芯片充电系统集成 3 个环

路:充电恒流,充电恒压,温度恒定环路,

为充电系统提供的性能。

HX4066 通过采用包含预充模式、快充

模式和恒压模式的控制算法优化充电过

程,当充满以后就维持在恒压模式以确保

电池总是处于充满状态,它的充电电流可

以通过一只外部电阻进行设定,充电电流

配置高至 1A。芯片内部热回馈电路则对内

核温度进行调节以确保在任何可用环境温

度下都以速率对电池进行充电,这一

功能简单来说就是一开始充电的时候芯片

温度会升高,导致充电电流会随着温度的

升高有一定程度的减少,深圳市恒佳盛电子有限公司,专业HX4066生产商,恒佳盛电子,当内部温度环路

达到稳定的时候,充电电流趋于稳定,达

到恒温充电的效果。HX4066 的 VIN 端可以

承受 30V 的电压,它还集成了各种保

护功能:输入过压,输入欠压,输出过压,

输出短路,芯片过温。

2 特性

 输入电压工作范围 4.6V~30V

 输入过压保护电压 6.5V

 外部电阻调节充电电流,支持 1A 充电

电流

 具有恒温充电功能,过温自动调节充电电流

 支持 4.2V、4.35V、4.4V 电池类型

 LED 显示充电状态,支持双色灯显示

 内置 MOSFET,具有防倒灌功能

 涓流/恒流/恒压充电

 输出过流、过压、短路保护

 输入过压、欠压保护

 OTP 过温保护

 4KV ESD 特性

 封装形式:

HX4066 采用 ESOP8 封装;

接着电池电压通过 BAT 引进反馈调节,当电池电压接近电池调节电压阈值,电

压调节阶段开始,充电电流开始逐渐减少以保护电池寿命,由于这一阶段电压变化

小,所以认为是恒压充电,当电池电压超过电池电压的调节电压阈值时,充电模式

停止。

7.3 静态模式电流

静态模式下的电流分为两种:一种是电池电压 VBAT=4.2V,无外部电源输入,专业HX4066生产商,即 VIN=0V 的条件下,实测的静态电流值 IBAT_STD=0µA ;另外一种是 VIN=5V,没有电池电

压的条件下用电流表实测的静态电流值 IIN_CHG=1.51mA(该电流值包含 CHRG 引脚 LED

的功耗,实际的静态电流应该减去 LED 的功耗,大约为 400µA。)

7.4 恒温充电和热阻值

HX4066 内部集成温度恒定环路,周围环境温度及芯片温度升高时,会导致充电

电流下降,温度达 125°C 时,电流降为零;当温度恒定时,充电电流趋于稳定,达

到恒温充电的效果。

HX4066 芯片封装对应不同的结温。封装热阻值的计算,专业HX4066生产商,首先推荐的结温为

125°C,初始值为 25°C,对于 SOT23-6 的封装,其结温和周围温度之间的热阻 RθJA=210°C

/W;对于 DFN6 的封装,其结温和周围温度之间的热阻 RθJA=32°C /W。两种封装的

大功率损耗计算如下: PD(MAX),ESOP8= (125°C-25°C)/(210°C /W) = 0.476W大功耗取于环境温度和结温和周围温度之间的热阻 RθJA,环境温度的上升影

响大功耗。

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专营电源管理IC,MOS管

联系热线:赵先生13823513305,欢迎咨询

3 应用

 单节锂电池充电

 手机、PDA、MP3/MP4

 蓝牙耳机、GPS

 充电座

 数码相机、Mini 音响等便携式设备

7 应用信息

HX4066 是一种高集成度和高可靠

性的低成本线性单电池锂离子充电器,

兼备恒流(CC)模式和恒压(CV)模 式。恒流模式下的电流通过外部电阻 RISET 进行设定,而恒压模式下的电压

一般在 4.2V,不超过 4.3V。如果

电池端的电压低于 3.08V,那么 HX4066

就会从大电流充电变为涓流充电直到

电池端电压高于 3.08V。HX4066 能够通

过 AC 适配器和 USB(通用串行总线)

端口输入供电。

7.1 输入电压过压保护

输入电压由内部比较器监测。OVP 阈值设置为 6.5V(典型值)。当输入电压超

过阈值,芯片启动过压保护机制,控制器输出关闭功率 MOSFET 的逻辑信号以防止

手持式系统中的电子设备不会因为输入电压高而损坏。当然超过耐压值 30V 仍然会

损坏,而且是不可逆的。当输入过电压条件消除后,控制器将启用通过运行软启动

再次输出。

7.2 电池充电曲线

右上角图 1 是典型的电池充电曲线图,专业HX4066生产商,在充电过程中一开始电池电压低于预充

电阈值,于是电池先开始一段时间的涓流充电;之后电池电压达到充电阈值,便开

始恒流充电,这段时间充电电流是大的,其中的计算公式如下: ICHG= 3000

RISET

A (其中RISET是外部电阻,典型阻值可以是 3K、5K 和 6K。)

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我国电子信息产业面临的生态要求日益迫切。今年,我国将研究提出电子信息产品能源消耗标准、污染控制重点目录及分类的框架体系。   据信息产业部经济体制改革与经济运行司负责人介绍,今年8月,欧盟用能产品标准的生态化设计EuPs指令将正式生效,对电子信息产品等用能产品的设计、制造、运输、使用、回收等提出了生态化的标准要求,这一新指令将对全球电子信息产业发展产生革命性影响。对此,我国要研究提出应对措施及我国电子信息产品标准的生态化要求,制定节能降耗的行业标准,将节能环保的管理措施贯穿于电子信息产品的整个生命周期中。   同时,我国还将深入推进电子信息产品污染控制工作,研究制定电子信息产品污染控制重点目录及相关的分类、注释体系,加强污染控制标准实施的监督检查等。 全球半导体贸易统计组织(WSTS)日前发表的市场数据显示,欧洲半导体销售情况好坏不一,第二季度的季度增长率为负数,但年增长率仍然为正数。 据WSTS,2007年6月欧洲半导体销售额为32.07亿美元,比5月下降1.8%,比去年同期增长1.6%。年内迄今,半导体销售额比2006年同期增长3.2%。欧元兑美元升值最近几个月对欧洲半导体销售额增长数据产生影响。 欧洲半导体产业协会(ESIA)表示,上半年总体半导体产品单位出货量实现正增长,暗示价格动态仍在对市场施加强大的压力。世界其它地区也是这种结果。DRAM和微处理器基本上也是这种情况,2007年第二季度销售额比第一季度大幅下降。 第二季度用于消费及通讯产品的闪存和逻辑芯片销售额出现正增长,同比和环比都是正增长。数字信号处理器(DSP)销售额比2007年第一季度略有增长。上半年用于电脑和汽车应用的分立、光电、标准逻辑产品和逻辑芯片的销售额,未能达到预期,第二季度销售额同比和环比双双下降。 据国外媒体报道,全球第二大储存芯片制造商、英飞凌分拆的新公司奇梦达宣布,为了提高产品销售,它计划将在新加坡构建一个300毫米晶圆工厂。   奇梦达表示,未来五年内新工厂将投资20亿欧元(约合27亿美元),将建立一个二万平米的绝对无尘室,每月的产量将达到六万个晶圆。在达到最高产量时将雇用1500名员工。   新工厂计划从今年晚些时候开始构建,预期2009年开始投入生产。新加坡的工厂将是奇梦达拥有的第三个300毫米晶圆工厂,类似的工厂在德国的德累斯顿和维吉尼亚(Virgina)的里齐蒙得(Richmond)。   市场调研机构IDC表示,从长远观点看,DRAM储存芯片的需求将增长,受到计算机需求增长的推动,从目前到2011年,DRAM储存芯片的年复合增长率将达到43%。


供应商信息

公司名称:深圳市恒佳盛电子有限公司

公司地址:广东省深圳市福田区振兴路赛格科技园四栋中520室

所属行业:其他集成电路

联系人:张 林森

手机号码:13723462606