3 应用

 单节锂电池充电

 手机、PDA、MP3/MP4

 蓝牙耳机、GPS

 充电座

 数码相机、Mini 音响等便携式设备

7 应用信息

HX4066 是一种高集成度和高可靠

性的低成本线性单电池锂离子充电器，

兼备恒流（CC）模式和恒压（CV）模 式。恒流模式下的电流通过外部电阻 RISET 进行设定，而恒压模式下的电压

一般在 4.2V，不超过 4.3V。如果

电池端的电压低于 3.08V，那么 HX4066

就会从大电流充电变为涓流充电直到

电池端电压高于 3.08V。HX4066 能够通

过 AC 适配器和 USB（通用串行总线）

端口输入供电。

7.1 输入电压过压保护

输入电压由内部比较器监测。OVP 阈值设置为 6.5V（典型值）。当输入电压超

过阈值，芯片启动过压保护机制，控制器输出关闭功率 MOSFET 的逻辑信号以防止

手持式系统中的电子设备不会因为输入电压高而损坏。当然超过耐压值 30V 仍然会

损坏，而且是不可逆的。当输入过电压条件消除后，控制器将启用通过运行软启动

再次输出。

7.2 电池充电曲线

右上角图 1 是典型的电池充电曲线图，在充电过程中一开始电池电压低于预充

电阈值，于是电池先开始一段时间的涓流充电；之后电池电压达到充电阈值，便开

始恒流充电，这段时间充电电流是大的，其中的计算公式如下： ICHG= 3000

RISET

A (其中RISET是外部电阻，典型阻值可以是 3K、5K 和 6K。)

深圳市恒佳盛电子有限公司

专营电源管理IC，MOS管

联系热线：赵先生13823513305，欢迎咨询

单节锂电充电HX4067供应商_高耐压充电芯片HX4067代理商-深圳市恒佳盛电子有限公司

1 概述

HX4066 是一款兼具高集成度和高可

靠性的单节锂电池线性充电芯片，可以使

用交流电源转接器或 USB 埠作为它的电源

输入。当电源被移除时，HX4066 进入睡

眠模式。HX4066 芯片充电系统集成 3 个环

路：充电恒流，充电恒压，温度恒定环路，

为充电系统提供的性能。

HX4066 通过采用包含预充模式、快充

模式和恒压模式的控制算法优化充电过

程，当充满以后就维持在恒压模式以确保

电池总是处于充满状态，它的充电电流可

以通过一只外部电阻进行设定，充电电流

配置高至 1A。芯片内部热回馈电路则对内

核温度进行调节以确保在任何可用环境温

度下都以速率对电池进行充电，这一

功能简单来说就是一开始充电的时候芯片

温度会升高，导致充电电流会随着温度的

升高有一定程度的减少，当内部温度环路

达到稳定的时候，充电电流趋于稳定，达

到恒温充电的效果。HX4066 的 VIN 端可以

承受 30V 的电压，原装HX4066解决方案，它还集成了各种保

护功能：输入过压，输入欠压，输出过压，深圳市恒佳盛电子有限公司,原装HX4066解决方案,恒佳盛电子,

输出短路，芯片过温。

2 特性

 输入电压工作范围 4.6V~30V

 输入过压保护电压 6.5V

 外部电阻调节充电电流，支持 1A 充电

电流

 具有恒温充电功能，原装HX4066解决方案，过温自动调节充电电流

 支持 4.2V、4.35V、4.4V 电池类型

 LED 显示充电状态，支持双色灯显示

 内置 MOSFET，具有防倒灌功能

 涓流/恒流/恒压充电

 输出过流、过压、短路保护

 输入过压、欠压保护

 OTP 过温保护

 4KV ESD 特性

 封装形式：

HX4066 采用 ESOP8 封装；

接着电池电压通过 BAT 引进反馈调节，当电池电压接近电池调节电压阈值，电

压调节阶段开始，充电电流开始逐渐减少以保护电池寿命，由于这一阶段电压变化

小，所以认为是恒压充电，当电池电压超过电池电压的调节电压阈值时，充电模式

停止。

7.3 静态模式电流

静态模式下的电流分为两种：一种是电池电压 VBAT=4.2V，无外部电源输入，即 VIN=0V 的条件下，实测的静态电流值 IBAT_STD=0µA ；另外一种是 VIN=5V，没有电池电

压的条件下用电流表实测的静态电流值 IIN_CHG=1.51mA（该电流值包含 CHRG 引脚 LED

的功耗，实际的静态电流应该减去 LED 的功耗，大约为 400µA。）

7.4 恒温充电和热阻值

HX4066 内部集成温度恒定环路，周围环境温度及芯片温度升高时，会导致充电

电流下降，温度达 125°C 时，电流降为零；当温度恒定时，充电电流趋于稳定，达

到恒温充电的效果。

HX4066 芯片封装对应不同的结温。封装热阻值的计算，首先推荐的结温为

125°C，初始值为 25°C，对于 SOT23-6 的封装，其结温和周围温度之间的热阻 RθJA=210°C

/W；对于 DFN6 的封装，其结温和周围温度之间的热阻 RθJA=32°C /W。两种封装的

大功率损耗计算如下： PD(MAX),ESOP8= (125°C-25°C)/(210°C /W) = 0.476W大功耗取于环境温度和结温和周围温度之间的热阻 RθJA，环境温度的上升影

响大功耗。

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