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产品名称: NP3403/3407/3415

NP3403/3407/3415

产品价格:面议

产品数量:1000000

保质/修期:1

保质/修期单位:

更新日期:2021-06-27

产品说明

20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

Description

The NP3415EVR uses advanced trench technology

to provide excellent RDS(ON), low gate charge and

operation with gate voltages as low as 1.8V. This device

is suitable for use as a load switch or in PWM

applications.

General Features

 VDS =-20V,ID =-4A

RDS(ON)(Typ.)=46mΩ @VGS=-2.5V

RDS(ON)(Typ.)=38mΩ @VGS=-4.5V

 High power and current handing capability

 Lead free product is acquired

 Surface mount package

 ESD Rating: 2500V HBM

Application

 PWM applications

 Load switch

Package

 SOT-23


富满电子TC8301电机驱动_CL4006充电稳压集成IC/电动玩具IC-深圳市恒佳盛电子有限公司

Part Number Storage Temperature Package Devices Per Reel

NP3415EVR-G -55°C to +150°C SOT-23 3000


电动牙刷驱动ICTC8301富满662K兼容6206-3.3V_CL4006充电稳压集成IC/电动玩具IC-深圳市恒佳盛电子有限公司

Notes:

a. surface mounted on FR4 board,t≤10sec

b. pulse test: pulse width≤300μs,duty≤2%

c. guaranteed by design, not subject to production testing

Thermal Characteristics

Thermal Resistance junction-to ambient Rth JA 100 ℃/W


锂电池充电ICLN4056H代替4056_单节锂电充电LN4056H代理商-深圳市恒佳盛电子有限公司


马达ICTC8301兼容117 118_电动牙刷驱动IC电动玩具IC富满662K兼容6206-3.3V-深圳市恒佳盛电子有限公司


富满6206-662K/TC8301热线13823513305_电动牙刷驱动IC电动玩具IC富满662K兼容6206-3.3V-深圳市恒佳盛电子有限公司


电机ICTC8301兼容117 118_电动牙刷驱动IC电动玩具IC富满662K兼容6206-3.3V-深圳市恒佳盛电子有限公司

Description

The NP3403MR uses advanced trench

technology to provide excellent RDS(ON)

General Features

, low gate

charge and operation with gate voltages as low as

2.5V. This device is suitable for use as a load switch

or in PWM applications.  VDS =-30V,ID R =-2.6A

DS(ON)(Typ.)=84mΩ @VGS

R =-4.5V

DS(ON)(Typ.)=110mΩ @VGS

 High power and current handing capability

=-2.5V

 Lead free product is acquired

 Surface mount package

Application

 PWM applications

 Load switch


锂电池充电ICLN4056H兼容代替TC4056.TP4056_单节锂电充电LN4056H资料-深圳市恒佳盛电子有限公司

parameter symbol limit unit

Drain-source voltage V -30 DS V

Gate-source voltage V ±12 GS V

Drain current-continuousa -pulse d

@Tj=125℃ I b -2.6 D A I -12 DM A

Drain-source Diode forward current Is -1.25 A

Maximum power dissipation P 1 D W

Operating junction Temperature range Tj -55—150 ℃


TC8301马达驱动_富满6206-662K/电动玩具IC-深圳市恒佳盛电子有限公司


上海南麟LN6291兼容4054_LN6206兼容6206/电动玩具IC-深圳市恒佳盛电子有限公司


上海南麟LN4056H代替LP4056,CL4056_单节锂电充电LN4056H资料-深圳市恒佳盛电子有限公司

Description

The NP3407VR uses advanced trench technology

to provide excellent RDS(ON)

 V

, low gate charge and

operation with gate voltages as low as 2.5V. This

device is suitable for use as a load switch or in PWM

applications.

General Features

DS =-30V,ID R =-4A

DS(ON)(Typ.)=62mΩ @VGS=-4.5V

RDS(ON)(Typ.)=45mΩ @VGS

 High power and current handing capability

=-10V  Lead free product is acquired

 Surface mount package

Application

 PWM applications

 Load switch

Package

 SOT-23


小家电充电ICLN4056H资料_单节锂电充电LN4056H资料-深圳市恒佳盛电子有限公司


小家电充电ICLN4056H兼容代替TC4056.TP4056_单节锂电充电LN4056H代理商-深圳市恒佳盛电子有限公司

Parameter Symbol Condition Min Typ Max Unit

OFF Characteristics

Drain-source breakdown voltage BVDSS VGS=0V, ID=-250µA -30 - - V

Zero gate voltage drain current IDSS VDS=-30V, VGS=0V - - -1 µA

Gate-body leakage IGSS VDS=0V, VGS=±20V - - ±100 nA

ON Characteristics

Gate threshold voltage VGS(th) VDS=VGS, ID=-250µA -0.7 -1.3 -2.5 V

Drain-source on-state resistance RDS(ON)

VGS=-10V, ID=-4A 45 65

VGS=-4.5V, ID=-3A - 62 90

Forward transconductance gfs VDS=-5V, ID=-4A - 10 - S

Dynamic Characteristics

Input capacitance CISS

VDS=-10V ,VGS=0V

f=1.0MHz

- 700 -

pF Output capacitance COSS - 120 -

Reverse transfer capacitance CRSS - 75 -

Switching Characteristics

Turn-on delay time tD(ON) VDD=-15V ID=-4A,VGEN=-10V RL=10ohm 

RGEN=6ohm

- 9 -

ns

Rise time tr - 5 -

Turn-off delay time tD(OFF) - 28 -

Fall time tf - 12.5 -

Total gate charge Qg

VDS=-15V,ID=-4A, VGS=-4.5V

- 14 -

nC Gate-source charge Qgs - 3.1 -

Gate-drain charge Qgd - 3 -


富满6206-662K/TC8301马达驱动_电动牙刷驱动IC电动玩具IC富满662K兼容6206-3.3V-深圳市恒佳盛电子有限公司


马达ICTC8301芯联CL4006充电加稳压IC_CL4006充电稳压集成IC/电动玩具IC-深圳市恒佳盛电子有限公司

同时,电子行业的分子行业众多,同时它们也是新技术、新行业的孵化器,必有一些分子行业和企业符合新经济增长模式。自下而上的选择,定可以找到一些抗经济危机的投资标的。我们认为最好的标的兼具以下特征:在行业属性方面,为新兴行业,30V/2.6A/PMOSNP340334073415兼容万代,正处在生命周期的成长期,技术进步很快,30V/2.6A/PMOSNP340334073415兼容万代,与国际水平差距不大;在企业层面,主要靠研发带动,资本开支不大,专注于核心竞争力,生产外包或局部外包;在市场方面,更多的是满足内需,30V/2.6A/PMOSNP340334073415兼容万代,较少受经济危机影响。 至少将延续到2010年的当前阶段将出现前所未有的新模式:政府拥有“实际”IDM。这些近期及计划的投资见图1。这些项目中许多都是基于三种支撑:政府或国资投入、来自有经验的公司(如中芯国际)的晶圆厂专业运营,以及市场/产品合作伙伴(如尔必达)。这种新的业务模式强调国内投资成长和中国作为全球半导体制造中心的持续重要性。与以前不同,中国晶圆厂设备与材料采购越来越多的来自于本地公司,而不是日本美国等。随着本地、区域和国家政府资金介入新晶圆厂建设和设备采购,深圳市恒佳盛电子有限公司,30V/2.6A/PMOSNP340334073415兼容万代,恒佳盛电子,采购流程都采用中文。 1995年12月,继“908”工程开工后,国务院总理办公会议正式决策实施“909工程”,投资100亿元人民币建设一条8英寸、0.5微米的芯片大生产线以及8英寸硅单晶生产和若干个集成电路设计公司。1997年7月,上海华虹NEC电子有限公司成立,生产线正式开工建设。经过18个月的紧张建设,1999年2月华虹NEC生产线建成投产,技术档次达到0.35-0.24微米,生产的64M和128MSDRAM存储器达到了当时的国际主流水准。“909”工程是我国第一条8英寸深亚微米生产线,它的建成投产,标志着我国IC大生产技术迈入了8英寸、深亚微米水平。


供应商信息

公司名称:深圳市恒佳盛电子有限公司

公司地址:广东省深圳市福田区振兴路赛格科技园四栋中520室

所属行业:其他集成电路

联系人:张 林森

手机号码:13723462606