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产品名称: NP3403/3407/3415

NP3403/3407/3415

产品价格:面议

产品数量:1000000

保质/修期:1

保质/修期单位:

更新日期:2021-06-27

产品说明

Description

The NP3403MR uses advanced trench

technology to provide excellent RDS(ON)

General Features

, low gate

charge and operation with gate voltages as low as

2.5V. This device is suitable for use as a load switch

or in PWM applications.  VDS =-30V,ID R =-2.6A

DS(ON)(Typ.)=84mΩ @VGS

R =-4.5V

DS(ON)(Typ.)=110mΩ @VGS

 High power and current handing capability

=-2.5V

 Lead free product is acquired

 Surface mount package

Application

 PWM applications

 Load switch


富满电子TC8301富满662K兼容6206-3.3V_CL4006充电稳压集成IC/电动玩具IC-深圳市恒佳盛电子有限公司

parameter symbol limit unit

Drain-source voltage V -30 DS V

Gate-source voltage V ±12 GS V

Drain current-continuousa -pulse d

@Tj=125℃ I b -2.6 D A I -12 DM A

Drain-source Diode forward current Is -1.25 A

Maximum power dissipation P 1 D W

Operating junction Temperature range Tj -55—150 ℃


富满6206-662K/TC8301_马达IC电动玩具IC-深圳市恒佳盛电子有限公司


XT4054充电IC/LN6291技术支持配合_XT4054充电IC/电动玩具IC-深圳市恒佳盛电子有限公司


上海南麟LN6291南麟电子_LN6206兼容6206/电动玩具IC-深圳市恒佳盛电子有限公司

20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

Description

The NP3415EVR uses advanced trench technology

to provide excellent RDS(ON), low gate charge and

operation with gate voltages as low as 1.8V. This device

is suitable for use as a load switch or in PWM

applications.

General Features

 VDS =-20V,ID =-4A

RDS(ON)(Typ.)=46mΩ @VGS=-2.5V

RDS(ON)(Typ.)=38mΩ @VGS=-4.5V

 High power and current handing capability

 Lead free product is acquired

 Surface mount package

 ESD Rating: 2500V HBM

Application

 PWM applications

 Load switch

Package

 SOT-23


单通道驱动ICTC8301电机驱动_电动牙刷驱动IC电动玩具IC富满662K兼容6206-3.3V-深圳市恒佳盛电子有限公司

Part Number Storage Temperature Package Devices Per Reel

NP3415EVR-G -55°C to +150°C SOT-23 3000


1A电流充电ICLN4056H代替4056_单节锂电充电LN4056H代理商-深圳市恒佳盛电子有限公司

Notes:

a. surface mounted on FR4 board,t≤10sec

b. pulse test: pulse width≤300μs,duty≤2%

c. guaranteed by design, not subject to production testing

Thermal Characteristics

Thermal Resistance junction-to ambient Rth JA 100 ℃/W


单节锂电充电LN4056H一级代理直销_单节锂电充电LN4056H资料-深圳市恒佳盛电子有限公司


上海南麟LN6291兼容4054_LN6206兼容6206/电动玩具IC-深圳市恒佳盛电子有限公司


LN4056H代替4056_上海南麟LN4056H-深圳市恒佳盛电子有限公司


马达ICTC8301_马达IC电动玩具IC-深圳市恒佳盛电子有限公司

Description

The NP3407VR uses advanced trench technology

to provide excellent RDS(ON)

 V

, low gate charge and

operation with gate voltages as low as 2.5V. This

device is suitable for use as a load switch or in PWM

applications.

General Features

DS =-30V,ID R =-4A

DS(ON)(Typ.)=62mΩ @VGS=-4.5V

RDS(ON)(Typ.)=45mΩ @VGS

 High power and current handing capability

=-10V  Lead free product is acquired

 Surface mount package

Application

 PWM applications

 Load switch

Package

 SOT-23


LN6206兼容6206/LN6291_高效率升压DCDC电动玩具IC-深圳市恒佳盛电子有限公司


CL4006充电稳压集成IC/TC8301芯联CL4006充电加稳压IC_CL4006充电稳压集成IC/电动玩具IC-深圳市恒佳盛电子有限公司

Parameter Symbol Condition Min Typ Max Unit

OFF Characteristics

Drain-source breakdown voltage BVDSS VGS=0V, ID=-250µA -30 - - V

Zero gate voltage drain current IDSS VDS=-30V, VGS=0V - - -1 µA

Gate-body leakage IGSS VDS=0V, VGS=±20V - - ±100 nA

ON Characteristics

Gate threshold voltage VGS(th) VDS=VGS, ID=-250µA -0.7 -1.3 -2.5 V

Drain-source on-state resistance RDS(ON)

VGS=-10V, ID=-4A 45 65

VGS=-4.5V, ID=-3A - 62 90

Forward transconductance gfs VDS=-5V, ID=-4A - 10 - S

Dynamic Characteristics

Input capacitance CISS

VDS=-10V ,VGS=0V

f=1.0MHz

- 700 -

pF Output capacitance COSS - 120 -

Reverse transfer capacitance CRSS - 75 -

Switching Characteristics

Turn-on delay time tD(ON) VDD=-15V ID=-4A,VGEN=-10V RL=10ohm 

RGEN=6ohm

- 9 -

ns

Rise time tr - 5 -

Turn-off delay time tD(OFF) - 28 -

Fall time tf - 12.5 -

Total gate charge Qg

VDS=-15V,ID=-4A, VGS=-4.5V

- 14 -

nC Gate-source charge Qgs - 3.1 -

Gate-drain charge Qgd - 3 -


LN6206兼容6206/LN6291南麟电子_XT4054充电IC/电动玩具IC-深圳市恒佳盛电子有限公司


CL4006充电稳压集成IC/TC8301富满662K兼容6206-3.3V_电动牙刷驱动IC电动玩具IC富满662K兼容6206-3.3V-深圳市恒佳盛电子有限公司

事件回顾:2008年10月30日,在2008年第三季度法人说明会上,晶圆代工领头羊TSMC(台积电)宣布,由于受国际金融危机影响,该公司2008年第四季度销售收入将比第三季度下降约24.7%,第四季度毛利率和营业利润率将分别比第三季度下降约11%和13%。此前一天,位居晶圆代工业次席的联华电子也披露了2008年第三季度亏损的消息,深圳市恒佳盛电子有限公司,PMOS管NP340334073415一级代理,恒佳盛电子,这是自2001年第四季度以来该公司首次出现单季度亏损的状况。2008年12月1日,TSMC进一步下调了对当年第四季度的业绩预期,预计该公司第四季度销售收入将比第三季度下降约31.1%,而毛利率和营业利润率也将比预期各降低4个百分点。   实际上,在火星登陆后几个月时间里,“凤凰”并不是直接寻找生命存在迹象,而是扮演一个“挖掘工”角色,PMOS管NP340334073415一级代理,对相关样本进行分析,以确定生命存在的可能性。迄今为止,“凤凰”号已在火星上发现盐和粘土,它们都需要水才能形成,此外,PMOS管NP340334073415一级代理,它还在红色土壤中挖到了冰晶。由于火星与太阳的距离时远时近以及它的倾斜轴,极地地区每100万年左右才有一次升温机会,也就是说,这些地区更适于生命居住。在火星上,哪怕发现一个微生物,PMOS管NP340334073415一级代理,也会令我们这些生活在地球上的人类兴奋不已。 编辑点评:受国际光伏发电产业快速发展的影响,我国太阳能电池的产量近几年持续保持高速增长,2007年中国太阳能电池产量达到1088MW,占世界总产量的27.2%。在这种大环境下,占太阳能电池成本70%的多晶硅受到企业的追捧,正是这股热潮为我国多晶硅产业的发展打下了基础,无论是多晶硅材料的生产还是多晶硅铸锭炉的研发都取得了一定的突破。据统计,截止到2008年11月,全国有11家企业先后从事多晶硅生产,投产规模达到1.241万吨/年。业内专家同时指出,我国多晶硅工业虽然起步不晚,但发展缓慢,生产、技术、工艺相对落后,尤其多晶硅浇铸设备基本依靠进口,而以华盛天龙、中电科技集团公司第48所为代表的国内设备企业研发成功的光伏多晶硅浇铸设备,以其优异的性价比,为我国多晶硅生产带来技术飞跃。


供应商信息

公司名称:深圳市恒佳盛电子有限公司

公司地址:广东省深圳市福田区振兴路赛格科技园四栋中520室

所属行业:其他集成电路

联系人:张 林森

手机号码:13723462606