衬底片完了之后就是长外延，外延之后就是一系列的光刻，刻蚀，涂胶，沉积，清洗，离子注入等工艺，和硅工艺基本一致，然后就是后道的晶圆切die，封装测试等，基本流程和硅差不多。其中长外延，光刻胶，背面退火，刻蚀，以及氧化栅极工艺区别，欧姆接触和硅工艺区别非常大!硅的外延工艺就是普通的硅外延炉之类价格也很便宜国产的大约400-500万一台（8英寸的）；碳化硅的是特殊的MOCVD/HT-CVD，且价格非常贵，基本要800-1500万人民币一台，而且产能很低，一台炉子一个月产能是30片。

　　显然CREE平面型的刻蚀工序就不会很多，但是英飞凌和罗姆都是类似沟槽结构，刻蚀工序必然又多又复杂。到现在这沟槽结构已经异常复杂，已经变成多级沟槽!洒家推测，以后的碳化硅刻蚀设备不仅仅是一个台ICP刻蚀，应该是一台ICP-CVD刻蚀设备，在挖多级沟槽的时候，一边挖一边砌墙，刻蚀与沉积保护膜同步进行。第四，栅极工艺的问题.罗姆曾经吃过亏，整个碳化硅一大块面积都糊了。洒家请教过很多专家，有部分人的认为，问题出在氧化栅极上，MOSFET的栅极就是这一层二氧化硅。

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　　第六，退火掺杂完了，退火工艺也和硅不一样，是一个点一个点的激光退火！国内类似大族的激光设备是可以用的!第七，背面欧姆接触同理离子注入，半导体与金属接触会形成势垒，当半导体的掺杂浓度很高的时候电子可以借助“隧穿效应”穿过势垒，从而形成低阻的欧姆接触，形成良好的欧姆接触是有利于电流的输入和输出，因此选择什么金属材料对于碳化硅做欧姆接触很重要。碳化硅的长晶技术大致有三种，PVT物理气相传输法，HT-CVD高温气相沉积法，以及LPE溶液法!

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　　外延炉主要是国外的爱思强，意大利的LPE（被ASM收购），日本的TEL，Nuflare。国内有不少公司干这个，类似北方华创，中微，以及一些小公司!PVT法的长的碳化硅晶体天然是N型，没有P型，但是做外延层就可以调节N还是P，以及掺杂浓度（至少硅的外延层就是这样的）.之所以要做外延层，道理也很简单，消除衬底本身的缺陷问题，提高器件良率，其次是根据不同工艺，需要做不同外延掺杂工艺。那么对于碳化硅而言，外延之后，能明显提高良率.

　　必须用的是一种特殊光刻胶？干膜光刻胶？具体名称我叫不上来了，反正和硅肯定不一样!第三刻蚀，这里涉及非常复杂的工艺结构问题，现在玩碳化硅的国际三大家，英飞凌，罗姆，和CREE.其中CREE主要搞平面型，英飞凌的是非对称半包结构，罗姆是双/深沟槽结构，还有一个住友整过一个接地双掩埋!之所有英飞凌和罗姆要整这么复杂的沟槽结构，原因很简单，碳化硅和硅不一样，掺杂后的扩散推结动作异常困难，只能搞挖沟槽!其次，是增加功率/面积比，相比之下沟槽能比平面型降低30%的成本，这招业内俗称“偷面积”，能偷30%，相当可观了。