2010靶材应用研讨会 2010真空镀膜技术交流会
一、市场概况
靶材及真空镀膜应用半导体芯片制造、平板显示器、太阳能、电池、微型元器件、玻璃镀膜、装饰材料功能镀膜工业等各个行业。随着材料表面技术的飞速发展，世界对靶材及镀膜工业需求规模日益强盛。
快速增长的市场，离不开高品质的行业盛会推动行业的进一步发展，在得到相关主管部门和行业协会的大力支持下，2010中国国际靶材应用及镀膜工业展览会定于2010年12月6日至8日在上海光大会展中心举行。届时，组委会将邀请众多国内外靶材技术、产品、镀膜设备、新材料等最新技术和产品将在会上展出。在展览会期间，组委会还将组织一系列前瞻性、实用性、导向性的技术交流和新品发布等活动，为用户、企业、研究机构和贸易团体提供一个广阔的交流平台。
大会组委会将以最高规格、最大规模、最完善的工作组织方案为您打造供需双方最佳展示交流采购平台，热忱欢迎新老朋友踊跃报名参加。
ICChina（“中国国际半导体博览会暨高峰论坛”）已经成为国际半导体业界的盛会。参展商包括了国内外知名的设计、制造、封装测试、材料、设备等企业，高峰论坛与专题研讨会的内容涉及整个半导体产业链和整机用户、通路商等。
二、展览范围
★靶材产品：
光学镀膜材料、金属膜料、合金靶材、氧化物靶材、硼化物靶材、碳化物靶材、贵金属靶材、稀有金属靶材、钛，铌，锆，镍，钽，钨，钼，铪，铬银等单一金属靶材、高纯合金靶材、蒸发材料、溅射靶材、陶瓷靶材、特种靶材等各类靶材。
★镀膜设备：
离子镀膜设备、磁控镀膜设备、磁控/蒸发两用镀膜设备、磁控卷绕镀膜机、真空炉、真空镀膜设备等各类镀膜设备；镀膜材料、辅料等.
★靶材设备：
冷等静压机，热等静压机，高温钎焊炉，烧结炉，中频感应炉，电子束区熔炉，电子束熔炼炉，大面积靶材钎焊炉，高温真空热压炉，轧机等。
★靶材相关网站、书籍、协会、研究机构等。
三、高峰论坛及交流会
1、高峰论坛仍将是本次展览会的重头戏之一。届时，主管政府部门的官员、中外企业届领袖、业界专家等将汇聚一堂，对全球靶材应用及镀膜工业进展、企业最新技术以及热点问题进行探讨和交流。
2、专题技术研讨会：将围绕靶材产品应用与相关行业设置专场交流会。
3、展会现场会议：将安排技术与产品推介会、招商引资、企业信息发布会等。
四、参展费用
A．标准展位：（9平方米）
◇国内企业A区： RMB13800元/9M2，
◇国内企业B区：RMB11800元/9M2，
◇国外企业：3800元美金/9M2
（注：双面开口展位加收20%双面开口费）
B．室内光地：（36平方米起租）
◇国内企业A区：RMB 1380元/M2
B区：RMB1180元/M2
◇国外企业收费：380美金/ M2
1．标准展位9m2（3m×3m）
配置：展出场地、三面展板（2.5m高）、楣牌制作、一张洽谈桌、二把椅子、九平方地毯、220V电源插座一个、二支射灯；
2．光地（36m2起租）配置： 展出场地、保安服务，无任何设施，除此两项费用外搭建费、光地管理费等其它费用全部由企业自己承担；
3、现场研讨会
◇凡是举办技术研讨，新产品推广会的单位，请将研讨会内容、新产品简介、主讲人资历等有关资料在会前一月报组委会,国内企业为10000元，境外企业为3000美元，时间为2小时。
五、广告宣传
为配合各参展企业的品牌展示与整体宣传，我们特提供会刊广告、展馆现场广告等多种形式的广告宣传方案供各参展商选择，
1. 会刊
封 面 封底 封 二 封 三 跨彩页 彩 页 黑 白 文 字
20000 15000 10000 8000 9000 5000 2000 1000
2．入场券:5000元一万张,3万张起印；请柬:8000元一万张；充气拱门:3000元一天；
六、参展程序
◇ 填写参展申请表邮寄或传真至我组织单位；
◇ 申请展位三个工作日内将参展费用电汇或交至组织单位
◇ 展位顺序分配原则：“先申请，先付款，先安排”；
◇ 参展商在汇出各项费用后，请将银行汇款底单传真至组织单位；
七、参展说明
1、报名时间：2010年4月1日起，至展位额满为止。
2、参展商需保证所有展品或宣传品不会以任何形式侵犯第三者之注册商标、版权、设计、商品名称或专利；若违反上述保证，由参展商承担相应的后果及法律责任，主办单位及其代理人不负连带责任。
3、参展商的展品须符合展览主题及内容。主办方将保留拒绝不符合展览范围规定的展商参展，或要求其立即撤除不符合规定展品、相关宣传品、装饰品和其他物品，并立即封闭现场展位的权利，一切损失将由参展商承担。届时，主办方将不予退还已缴纳的参展费用。若展商行为有损展会形象，主办单位有权要求赔偿。
联系方式
联系人：郑 宏
地址：上海市群英路88弄1号1102室
手机：13482339133
电话：+86-21-51282883
传真：+86-21-51806263
Email：zhaohuizl@163.com