2015年9月，微电子学与集成电路领域顶级国际期刊IEEE JOURNAL OFSOLID-STATE CIRCUITS（JSSC）刊出了南京理工大学MEMS团队的研究论文《A Sub-gBias-Instability MEMS Oscillating Accelerometer With an Ultra-Low-NoiseRead-Out Circuitin CMOS》，这是国内首次在该期刊上发表物理传感器方面的文章。研究成果发表于JSSC，表明南理工在MEMS惯性传感器专用集成电路设计方面取得了突破性进展。这项研究成果能大大提高传感器的稳定性（精度），采用该电路的传感器，其性能达到国内外已报道的先进水平