更小的线宽是半导体行业努力的方向，器件线宽越小，芯片的功耗就越小；另外，这也可以减少芯片的面积，从而降低芯片制造的成本。然而，在集成电路制造中采用二氧化硅作为CMOS(互补金属氧化物半导体)器件的栅极绝缘材料，按等比缩小尺寸规律，随着器件线宽的缩小，栅绝缘层的厚度也随之减薄，漏电流急剧上升，从而导致器件的静态功耗不断攀升。2008年10月27日，在中芯国际北京技术研讨会上，中芯国际设计咨询及服务部的丁鸿钧先生表示，在0.13微米工艺节点，器件的静态功耗占总功耗的比例不到1/3，而在65纳米工艺节点，静态功耗占总功耗的比例可能远远超过这个值。