热能聚中技术

1、高安全性：热能聚集人为控制在中心区域；非中心区域的温度，要远低于中心区域。从而保障了热脱离器脱离前，非中心区域的温度，一直处于安全温度；避免热脱离器脱离过程中，专业电涌保护器生产商,电涌保护器 防雷相关，非中心区域的某点温度，可能已经超过甚至远超过警戒值，专业电涌保护器生产商,防雷保护器相关，进而可能引发火灾，保障了客户设备的安全运行。

2、TOV快速、准确:热能聚集人为控制在中心区域；芯片的热能，传导到脱离器的传导距离最短、传导热能最多、传导热能最集中、传导速度最快，保障热脱离器能够最快速度准确脱离。保障了客户设备的TOV的快速、准确。

抗干扰消谐柜_抗干扰高压开关柜

　　公司简介：上海纳宇电气有限公司源于1993年的上海二工电气，公司致力于配电自动化产品的开发和应用，纳宇品牌产品已覆盖智能电力仪表、数据采集设备、通讯管理机、电动机保护控制器、综合保护装置、变送器及其相关附件等，并可为用户端提供能耗管理一体化解决方案。作为曾参与电测量仪表和马达保护器等多项国标的起草单位，一批经验丰富的技术团队和权威专家始终保持着行业领先的技术水平，并已获得多项国家专利。经过20多年的技术创新和应用，核心产品已进入高端应用的行列。

SPD选型原则

1、级间配合：电涌保护器SPD2 安装在 SPD1的下游, 通常它的各项参数指标(Imax, In, Ures)都比 SPD1小。但如果它与 SPD1安装得过近, SPD2 有可能比 SPD1更早动作, 从而要承受本由 SPD1承受的高能量。

一定要按逐级分流、分级保护的方法，北京电联港电器设备有限责任公司,电联港电器,才能保证SPD即有很长的寿命，又能把电源系统雷击电涌电压限制在设备能承受的水平内。

2、15米原则：当进线端的SPD与被保护设备之间的距离 > 15 米， 应在离被保护设备尽可能近的地方安装另一个电涌保护器

3、10米原则：当保护SPD1和SPD2作为级联安装时，SPD1和SPD2之间的最短距离：10 米。目的为了延迟SPD2上雷击波的到达，以使尽可能多的能量被SPD1释放。

4、50CM原则：进线和出线可以直接并接，也可以用V形接法（凯文接线）连接。直接并接要求a+b≤0.5m, 而V形接法只要求a≤0.5m，以减少引线电感电压降对被保护设备的冲击。

尽管可再生能源领域会有8万亿美元投资，但发展中国家还将有许多遗留的化石燃料电厂以及对新燃煤电厂的足够投资。这就造成了到2029年全球二氧化碳排放量将一路上涨。由于经济发展及人口增长，2014-2040年全球发电量将增长56%，而全球电力领域排放将从131亿吨增加到2029年的峰值153亿吨。发展中国家的更多煤炭燃烧将远超过发达国家利用天然气和可再生能源发电所替代的煤炭。尽管2029年后，全球碳排放会逐渐减少，但是2040年148亿吨的排放量比2014年的水平还要高出13%。 针对新常态下消费者更加注重采购效率与服务品质的趋势，作为低压电器领军企业，德力西电气加快了创新驱动的步伐。继2014年行业首创授权零售网络体系，精心打造出基于低压电气全生命周期的“一站式采购+五星顾问式服务”体验后，今年7-9月，暨领航者系列CDW3新品上市之际，德力西电气举办了声势浩大的领航者系列推广会及路演活动，共涉及全国三百多个城市，覆盖上海、杭州、西安、长沙、重庆、沈阳、酒泉、攀枝花、南宁、贵阳、珠海、银川等一、二、三线各主要经济重镇。活动现场，消费者不但可以零距离感受全国首家五星品牌的实力与专业服务，更可亲身体验领航者系列在结构、设计、功能等领先行业的不凡品质，并享受德力西电气巨大的倾情回馈。

纳米ZnO技术

1、高电位梯度：近年国内外的研究结果表明，ZnO芯片的电位梯度取决于单位厚度内的晶界数目，液相扩散控制ZnO晶粒的生长速度；而晶界数目又是由ZnO晶粒粒径所确定的，故减小ZnO晶粒粒径是提高ZnO芯片电位梯度的主要途径。

纳米ZnO是由极细晶粒组成，其特征维度尺寸（晶粒尺寸、晶界宽度、第二相分布等）是纳米数量级。以纳米ZnO为核心的高梯度配方的设计，能够有效增加晶界层数量、抑制晶粒生长速度及提高势垒高度，能够大幅提高单位面积的通流能力，能够大幅提高电位梯度。

2、高能量耐受：同单位体积的能量耐受，主要体现在ZnO芯片击穿。其主要原因是由于电流分配不均匀导致热能汇集某一点，最终归结于微观组织结构的不均匀性所致。这就要求尽可能从制造工艺上提高ZnO芯片结构和成分均匀性、减少陶瓷本体内部缺陷。

在原料的选用上，纳米ZnO粒子作为联系宏观物体及微观粒子的桥梁，其表面效应伴随着粒径的减小，专业电涌保护器生产商，表面原子数的迅速增加，纳米粒子的表面积、表面能都迅速增大。表面原子周围缺少相邻的原子，有许多悬空键，具有不饱和性质，易与其它原子相结合而稳定下来，故具有很大的化学活性。

在添加剂的选用上，使用易于分散、活性较高的改性纳米BiO 3 ，有助于提高烧结过程中的传质速度，有助于改善液相对界面的侵润性，形成良好的晶界面。纳米材料的配方、新型高效分散设备的应用和窑炉曲线的调整，对于芯片均匀

性改善均起到显著作用，对于单位体积能量耐受能力提高起到显著作用。

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