SPD选型原则

1、级间配合：电涌保护器SPD2 安装在 SPD1的下游, 通常它的各项参数指标(Imax, In, Ures)都比 SPD1小。但如果它与 SPD1安装得过近, SPD2 有可能比 SPD1更早动作, 从而要承受本由 SPD1承受的高能量。

一定要按逐级分流、分级保护的方法，才能保证SPD即有很长的寿命，又能把电源系统雷击电涌电压限制在设备能承受的水平内。

2、15米原则：当进线端的SPD与被保护设备之间的距离 > 15 米， 应在离被保护设备尽可能近的地方安装另一个电涌保护器

3、10米原则：当保护SPD1和SPD2作为级联安装时，专业电涌保护器,浪涌保护器相关，SPD1和SPD2之间的最短距离：10 米。目的为了延迟SPD2上雷击波的到达，以使尽可能多的能量被SPD1释放。

4、50CM原则：进线和出线可以直接并接，也可以用V形接法（凯文接线）连接。直接并接要求a+b≤0.5m, 而V形接法只要求a≤0.5m，以减少引线电感电压降对被保护设备的冲击。

纳米ZnO技术

1、高电位梯度：近年国内外的研究结果表明，ZnO芯片的电位梯度取决于单位厚度内的晶界数目，液相扩散控制ZnO晶粒的生长速度；而晶界数目又是由ZnO晶粒粒径所确定的，故减小ZnO晶粒粒径是提高ZnO芯片电位梯度的主要途径。

纳米ZnO是由极细晶粒组成，其特征维度尺寸（晶粒尺寸、晶界宽度、第二相分布等）是纳米数量级。以纳米ZnO为核心的高梯度配方的设计，专业电涌保护器,防电涌保护器相关，能够有效增加晶界层数量、抑制晶粒生长速度及提高势垒高度，能够大幅提高单位面积的通流能力，能够大幅提高电位梯度。

2、高能量耐受：同单位体积的能量耐受，主要体现在ZnO芯片击穿。其主要原因是由于电流分配不均匀导致热能汇集某一点，最终归结于微观组织结构的不均匀性所致。这就要求尽可能从制造工艺上提高ZnO芯片结构和成分均匀性、减少陶瓷本体内部缺陷。

在原料的选用上，纳米ZnO粒子作为联系宏观物体及微观粒子的桥梁，其表面效应伴随着粒径的减小，表面原子数的迅速增加，纳米粒子的表面积、表面能都迅速增大。表面原子周围缺少相邻的原子，有许多悬空键，具有不饱和性质，易与其它原子相结合而稳定下来，故具有很大的化学活性。

在添加剂的选用上，使用易于分散、活性较高的改性纳米BiO 3 ，有助于提高烧结过程中的传质速度，有助于改善液相对界面的侵润性，形成良好的晶界面。纳米材料的配方、新型高效分散设备的应用和窑炉曲线的调整，对于芯片均匀

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性改善均起到显著作用，对于单位体积能量耐受能力提高起到显著作用。

热能聚中技术

1、高安全性：热能聚集人为控制在中心区域；非中心区域的温度，要远低于中心区域。从而保障了热脱离器脱离前，非中心区域的温度，一直处于安全温度；避免热脱离器脱离过程中，非中心区域的某点温度，可能已经超过甚至远超过警戒值，进而可能引发火灾，保障了客户设备的安全运行。

2、TOV快速、准确:热能聚集人为控制在中心区域；芯片的热能，传导到脱离器的传导距离最短、传导热能最多、传导热能最集中、传导速度最快，保障热脱离器能够最快速度准确脱离。保障了客户设备的TOV的快速、准确。

　　　　 雷电在空间和导线上的强大电流及电磁场对建筑物内外的通信电缆、数据线、遥测线、天馈线、计算机网络中的各种连接线等金属导线和电路，形成的电磁感应或静电感应过电压将通过设备的输入端进入电子设备，导致设备的损坏、停机、数据中断、丢失。　　随着科技的进步，各行各业配置的计算机、通信和精密电子设备日益增加，由于弱点设备的器件集成度高、体积小，对过电压的抵御能力很低，如TTL等集成电路12.5V峰值、30ns脉宽的冲击电压就可使器件破坏。因此，加装各种信号浪涌保护器是确保信息通畅的重要手段。　　信号类过电压保护器系列产品对感应雷、侵入波、操作过电压、静电干扰等有很好的抑制作用。　　　　信号浪涌保护器 1)基于新一代智能变电站设备集成、功能集成、系统集成和专业集成的设计原则，对目前智能变电站的三层两网结构进行优化，北京电联港电器设备有限责任公司,电联港电器,在不改变站控层网络的基础上，专业电涌保护器,二级电涌保护器相关，将原来间隔层设备和过程层设备进行有效集成，模块化设计集成到一个装置中，该装置是通过站控层交换机与站控层设备交互的唯一设备，并通过光纤直连方式与开关本体交互，对变电站系统来说仅有两层一网，简化了网络结构和系统复杂度。最终建立紧凑化结构的新一代智能高压开关设备网络信息流。 因其无油、环保，没有辅助运行系统、基本免维护等优势，使得干式平波电抗器正在逐渐成为直流输电网络发展的一个方向。 这台±800kV 400Mvar干式平波电抗器，是目前国内单台额定直流连续电流最大的干式平波电抗器，抗震、温升要求高、防雨降噪要求严格，在合理解决防雨降噪和热点温升之间的矛盾方面具有一定难度。这7台±800kV 400Mvar干式平波电抗器，是西电西变首次批量生产的±800kV干式平波电抗器，也是首次采用斜支撑设计的干式平波电抗器产品。

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