SPD选型原则

1、级间配合：电涌保护器SPD2 安装在 SPD1的下游, 通常它的各项参数指标(Imax, In, Ures)都比 SPD1小。但如果它与 SPD1安装得过近, SPD2 有可能比 SPD1更早动作, 从而要承受本由 SPD1承受的高能量。

触摸屏操作消谐柜销售_抗干扰高压开关柜

一定要按逐级分流、分级保护的方法，才能保证SPD即有很长的寿命，口碑好的电涌保护器厂家，又能把电源系统雷击电涌电压限制在设备能承受的水平内。

2、15米原则：当进线端的SPD与被保护设备之间的距离 > 15 米， 应在离被保护设备尽可能近的地方安装另一个电涌保护器

3、10米原则：当保护SPD1和SPD2作为级联安装时，SPD1和SPD2之间的最短距离：10 米。目的为了延迟SPD2上雷击波的到达，以使尽可能多的能量被SPD1释放。

4、50CM原则：进线和出线可以直接并接，北京电联港电器设备有限责任公司,电联港电器,也可以用V形接法（凯文接线）连接。直接并接要求a+b≤0.5m, 而V形接法只要求a≤0.5m，以减少引线电感电压降对被保护设备的冲击。

日本学者在XLPE中添加了导电无机填料，使得载流子密度在绝缘中分布均匀，抑制了空间电荷。王霞等通过将少量茂金属催化聚乙烯共混来提高聚乙烯的介电性能，尹毅等以氯化聚乙烯为添加剂与低密度聚乙烯共混，都对空间电荷的抑制起到了一定的作用。目前的报道中还有利用纳米BaSrTiO3、纳米MgO、纳米ZnO、纳米SiO2等。然而，由于纳米填料表面与聚合物本体的相容性较差，导致纳米填料严重团聚，实验结果分散性大，难以得到广泛推广，极大限制了高压直流电缆绝缘材料的发展。

热能聚中技术

1、高安全性：热能聚集人为控制在中心区域；非中心区域的温度，要远低于中心区域。从而保障了热脱离器脱离前，非中心区域的温度，一直处于安全温度；避免热脱离器脱离过程中，非中心区域的某点温度，可能已经超过甚至远超过警戒值，进而可能引发火灾，保障了客户设备的安全运行。

2、TOV快速、准确:热能聚集人为控制在中心区域；芯片的热能，传导到脱离器的传导距离最短、传导热能最多、传导热能最集中、传导速度最快，保障热脱离器能够最快速度准确脱离。保障了客户设备的TOV的快速、准确。

（4）环保：磷酸铁锂电池采用的原料不含铅、汞、镉、铬等有毒有害重金属物质，生产及应用过程中不会对环境造成任何污染。而铅酸电池有重金属铅的污染。（5）高温性能好：磷酸铁锂电池在外部温度55℃时仍能正常工作。（6）安全性强：磷酸铁锂正极材料具有良好的电化学性能，充放电平台十分平稳，充放电过程中结构稳定，口碑好的电涌保护器厂家,浪涌保护相关，电池不燃烧、不爆炸、安全性好。（7）长循环寿命：100％放电情况下，磷酸铁锂电池的循环寿命约为1500次，没有记忆效应；而铅酸蓄电池循环使用寿命约为300次，且记忆效应明显。 　　　　 雷电在空间和导线上的强大电流及电磁场对建筑物内外的通信电缆、数据线、遥测线、天馈线、计算机网络中的各种连接线等金属导线和电路，形成的电磁感应或静电感应过电压将通过设备的输入端进入电子设备，导致设备的损坏、停机、数据中断、丢失。　　随着科技的进步，各行各业配置的计算机、通信和精密电子设备日益增加，由于弱点设备的器件集成度高、体积小，对过电压的抵御能力很低，如TTL等集成电路12.5V峰值、30ns脉宽的冲击电压就可使器件破坏。因此，加装各种信号浪涌保护器是确保信息通畅的重要手段。　　信号类过电压保护器系列产品对感应雷、侵入波、操作过电压、静电干扰等有很好的抑制作用。　　　　信号浪涌保护器

纳米ZnO技术

1、高电位梯度：近年国内外的研究结果表明，ZnO芯片的电位梯度取决于单位厚度内的晶界数目，液相扩散控制ZnO晶粒的生长速度；而晶界数目又是由ZnO晶粒粒径所确定的，故减小ZnO晶粒粒径是提高ZnO芯片电位梯度的主要途径。

纳米ZnO是由极细晶粒组成，其特征维度尺寸（晶粒尺寸、晶界宽度、第二相分布等）是纳米数量级。以纳米ZnO为核心的高梯度配方的设计，能够有效增加晶界层数量、抑制晶粒生长速度及提高势垒高度，能够大幅提高单位面积的通流能力，能够大幅提高电位梯度。

2、高能量耐受：同单位体积的能量耐受，主要体现在ZnO芯片击穿。其主要原因是由于电流分配不均匀导致热能汇集某一点，最终归结于微观组织结构的不均匀性所致。这就要求尽可能从制造工艺上提高ZnO芯片结构和成分均匀性、减少陶瓷本体内部缺陷。

在原料的选用上，纳米ZnO粒子作为联系宏观物体及微观粒子的桥梁，其表面效应伴随着粒径的减小，表面原子数的迅速增加，纳米粒子的表面积、表面能都迅速增大。表面原子周围缺少相邻的原子，口碑好的电涌保护器厂家,obo电涌保护器相关，有许多悬空键，具有不饱和性质，易与其它原子相结合而稳定下来，故具有很大的化学活性。

在添加剂的选用上，使用易于分散、活性较高的改性纳米BiO 3 ，有助于提高烧结过程中的传质速度，有助于改善液相对界面的侵润性，形成良好的晶界面。纳米材料的配方、新型高效分散设备的应用和窑炉曲线的调整，对于芯片均匀

性改善均起到显著作用，对于单位体积能量耐受能力提高起到显著作用。

相关资讯查看