纳米ZnO技术

1、高电位梯度：近年国内外的研究结果表明，ZnO芯片的电位梯度取决于单位厚度内的晶界数目，液相扩散控制ZnO晶粒的生长速度；而晶界数目又是由ZnO晶粒粒径所确定的，故减小ZnO晶粒粒径是提高ZnO芯片电位梯度的主要途径。

纳米ZnO是由极细晶粒组成，其特征维度尺寸（晶粒尺寸、晶界宽度、第二相分布等）是纳米数量级。以纳米ZnO为核心的高梯度配方的设计，能够有效增加晶界层数量、抑制晶粒生长速度及提高势垒高度，能够大幅提高单位面积的通流能力，能够大幅提高电位梯度。

2、高能量耐受：同单位体积的能量耐受，主要体现在ZnO芯片击穿。其主要原因是由于电流分配不均匀导致热能汇集某一点，口碑好的电涌保护器,保护器相关，最终归结于微观组织结构的不均匀性所致。这就要求尽可能从制造工艺上提高ZnO芯片结构和成分均匀性、减少陶瓷本体内部缺陷。

在原料的选用上，纳米ZnO粒子作为联系宏观物体及微观粒子的桥梁，其表面效应伴随着粒径的减小，表面原子数的迅速增加，纳米粒子的表面积、表面能都迅速增大。表面原子周围缺少相邻的原子，有许多悬空键，具有不饱和性质，易与其它原子相结合而稳定下来，故具有很大的化学活性。

在添加剂的选用上，使用易于分散、活性较高的改性纳米BiO 3 ，有助于提高烧结过程中的传质速度，有助于改善液相对界面的侵润性，形成良好的晶界面。纳米材料的配方、新型高效分散设备的应用和窑炉曲线的调整，对于芯片均匀

性改善均起到显著作用，对于单位体积能量耐受能力提高起到显著作用。

这些应用场景能充分发挥其体积小、重量轻、工作温度范围宽、循环寿命长、可大电流充放电的特点，在节能、节材、节地三个方面实现节能减排的目的，同时有效降低维护运营成本。目前大量使用的阀控式铅酸蓄电池，由于占地面积大、对使用环境及承重要求高，在一定程度上限制了在通信局站的应用。而大容量磷酸铁锂电池制作工艺复杂，电池生产过程中的淘汰率较高，配组困难。因此，口碑好的电涌保护器,漏电保护器相关，磷酸铁锂电池在通信行业的使用，现阶段主要定位于小型化、分散化、环境恶劣的场景，作为传统阀控式密封铅酸蓄电池的有效补充。

热能聚中技术

1、高安全性：热能聚集人为控制在中心区域；非中心区域的温度，要远低于中心区域。从而保障了热脱离器脱离前，非中心区域的温度，一直处于安全温度；避免热脱离器脱离过程中，非中心区域的某点温度，可能已经超过甚至远超过警戒值，进而可能引发火灾，保障了客户设备的安全运行。

2、TOV快速、准确:热能聚集人为控制在中心区域；芯片的热能，传导到脱离器的传导距离最短、传导热能最多、传导热能最集中、传导速度最快，保障热脱离器能够最快速度准确脱离。保障了客户设备的TOV的快速、准确。

随着经济发展进入提质增效阶段，电力需求及电能能效管理都将进入更高标准时期，对框架断路器的智能性、可通信、安全性能提出新的挑战。基于对社会发展与客户需求趋势的前瞻把控，德力西电气依托强大的研发团队，采用世界领先的设计流程和工具，实现领航者系列CDW3系列智能化、可靠性、安全性的全面提升与突破。CDW3提供iTR326、iTR326A、iTR326三款智能控制器，均采用DSP32位高速处理芯片，集成度更高，功耗更低，可实现全面数据测量及分析;采用空心线圈技术，大幅降低误差，相对传统产品精度更高;植入通讯模块，增进互联互通，实现全网智能监控。性能方面，CDW3创新灭弧室采用独特多层金属网设计，快速灭弧，真正实现零飞弧，安全性能高效卓越。 3)基于分布式控制思想，打破现有的一二次设备的界限，减轻智能主机的信息处理量，为智能开关的每个机构配置一个控制器(在机构箱中)，将二次设备的部分功能下放，该控制器不仅可以接收智能主机的控制命令，具备分合闸(防跳、低气压闭锁、低油压闭锁、超时保护等)、储能电机(液压机构或弹簧机构)、机构加热器的控制功能，同时还具备该机构的测量和监测功能，可采集传感器(分合闸线圈电流传感器、储能电机电流传感器、触头位移传感器、气室密度传感器、机构箱温湿度传感器、振动传感器、避雷器泄露监测器等)信号，就地处理后经光纤上传至智能主机。用智能机构取代传统机构，可取消绝大部分传统二次回路和电缆，简化了二次配线，节约了材料和人力，缩短了装配和调试时间，实现了一二次设备的有效集成，提高了一次设备的智能化水平。

SPD选型原则

1、级间配合：电涌保护器SPD2 安装在 SPD1的下游, 通常它的各项参数指标(Imax, In, Ures)都比 SPD1小。但如果它与 SPD1安装得过近, SPD2 有可能比 SPD1更早动作, 从而要承受本由 SPD1承受的高能量。

一定要按逐级分流、分级保护的方法，才能保证SPD即有很长的寿命，口碑好的电涌保护器,电涌保护器 防雷相关，又能把电源系统雷击电涌电压限制在设备能承受的水平内。

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2、15米原则：当进线端的SPD与被保护设备之间的距离 > 15 米，北京电联港电器设备有限责任公司,电联港电器, 应在离被保护设备尽可能近的地方安装另一个电涌保护器

3、10米原则：当保护SPD1和SPD2作为级联安装时，SPD1和SPD2之间的最短距离：10 米。目的为了延迟SPD2上雷击波的到达，以使尽可能多的能量被SPD1释放。

4、50CM原则：进线和出线可以直接并接，也可以用V形接法（凯文接线）连接。直接并接要求a+b≤0.5m, 而V形接法只要求a≤0.5m，以减少引线电感电压降对被保护设备的冲击。

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