热能聚中技术

1、高安全性：热能聚集人为控制在中心区域；非中心区域的温度，要远低于中心区域。从而保障了热脱离器脱离前，非中心区域的温度，一直处于安全温度；避免热脱离器脱离过程中，非中心区域的某点温度，可能已经超过甚至远超过警戒值，进而可能引发火灾，保障了客户设备的安全运行。

2、TOV快速、准确:热能聚集人为控制在中心区域；芯片的热能，传导到脱离器的传导距离最短、传导热能最多、传导热能最集中、传导速度最快，保障热脱离器能够最快速度准确脱离。保障了客户设备的TOV的快速、准确。

日本学者在XLPE中添加了导电无机填料，使得载流子密度在绝缘中分布均匀，抑制了空间电荷。王霞等通过将少量茂金属催化聚乙烯共混来提高聚乙烯的介电性能，尹毅等以氯化聚乙烯为添加剂与低密度聚乙烯共混，都对空间电荷的抑制起到了一定的作用。目前的报道中还有利用纳米BaSrTiO3、纳米MgO、纳米ZnO、纳米SiO2等。然而，由于纳米填料表面与聚合物本体的相容性较差，导致纳米填料严重团聚，实验结果分散性大，北京电联港电器设备有限责任公司,电联港电器,难以得到广泛推广，极大限制了高压直流电缆绝缘材料的发展。 传统电力变压器基本上具有质量中、体积大的特征，造成其在应用过程中成本较高。但是，电子电力变压器和传统电力变压器相比存在较大的改进。电子电力变压器的质量较强、体积较小，其制造的成本也较低。在变压器的运输方面，因为电子电力变压器的质量轻且体积小，口碑好的电涌保护器生产厂家,热保护器相关，其运输的成本也较低，从而实现整体供电成本的降低。并且，因为电子电力变压器方便快捷，所以其在供电工作中的应用实现了人力与物力的有效节约。先进设备对人力的替代，也实现了我国供电整体效率的提升。 尽管可再生能源领域会有8万亿美元投资，但发展中国家还将有许多遗留的化石燃料电厂以及对新燃煤电厂的足够投资。这就造成了到2029年全球二氧化碳排放量将一路上涨。由于经济发展及人口增长，2014-2040年全球发电量将增长56%，而全球电力领域排放将从131亿吨增加到2029年的峰值153亿吨。发展中国家的更多煤炭燃烧将远超过发达国家利用天然气和可再生能源发电所替代的煤炭。尽管2029年后，全球碳排放会逐渐减少，但是2040年148亿吨的排放量比2014年的水平还要高出13%。

SPD选型原则

1、级间配合：电涌保护器SPD2 安装在 SPD1的下游, 通常它的各项参数指标(Imax, In, Ures)都比 SPD1小。但如果它与 SPD1安装得过近, SPD2 有可能比 SPD1更早动作, 从而要承受本由 SPD1承受的高能量。

一定要按逐级分流、分级保护的方法，才能保证SPD即有很长的寿命，又能把电源系统雷击电涌电压限制在设备能承受的水平内。

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2、15米原则：当进线端的SPD与被保护设备之间的距离 > 15 米， 应在离被保护设备尽可能近的地方安装另一个电涌保护器

3、10米原则：当保护SPD1和SPD2作为级联安装时，SPD1和SPD2之间的最短距离：10 米。目的为了延迟SPD2上雷击波的到达，口碑好的电涌保护器生产厂家,电动机保护器相关，以使尽可能多的能量被SPD1释放。

4、50CM原则：进线和出线可以直接并接，也可以用V形接法（凯文接线）连接。直接并接要求a+b≤0.5m, 而V形接法只要求a≤0.5m，以减少引线电感电压降对被保护设备的冲击。

纳米ZnO技术

1、高电位梯度：近年国内外的研究结果表明，ZnO芯片的电位梯度取决于单位厚度内的晶界数目，液相扩散控制ZnO晶粒的生长速度；而晶界数目又是由ZnO晶粒粒径所确定的，故减小ZnO晶粒粒径是提高ZnO芯片电位梯度的主要途径。

纳米ZnO是由极细晶粒组成，口碑好的电涌保护器生产厂家,obo电涌保护器相关，其特征维度尺寸（晶粒尺寸、晶界宽度、第二相分布等）是纳米数量级。以纳米ZnO为核心的高梯度配方的设计，能够有效增加晶界层数量、抑制晶粒生长速度及提高势垒高度，能够大幅提高单位面积的通流能力，能够大幅提高电位梯度。

2、高能量耐受：同单位体积的能量耐受，主要体现在ZnO芯片击穿。其主要原因是由于电流分配不均匀导致热能汇集某一点，最终归结于微观组织结构的不均匀性所致。这就要求尽可能从制造工艺上提高ZnO芯片结构和成分均匀性、减少陶瓷本体内部缺陷。

在原料的选用上，纳米ZnO粒子作为联系宏观物体及微观粒子的桥梁，其表面效应伴随着粒径的减小，表面原子数的迅速增加，纳米粒子的表面积、表面能都迅速增大。表面原子周围缺少相邻的原子，有许多悬空键，具有不饱和性质，易与其它原子相结合而稳定下来，故具有很大的化学活性。

在添加剂的选用上，使用易于分散、活性较高的改性纳米BiO 3 ，有助于提高烧结过程中的传质速度，有助于改善液相对界面的侵润性，形成良好的晶界面。纳米材料的配方、新型高效分散设备的应用和窑炉曲线的调整，对于芯片均匀

性改善均起到显著作用，对于单位体积能量耐受能力提高起到显著作用。

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