SPD选型原则

1、级间配合：电涌保护器SPD2 安装在 SPD1的下游, 通常它的各项参数指标(Imax, In, Ures)都比 SPD1小。但如果它与 SPD1安装得过近, SPD2 有可能比 SPD1更早动作, 从而要承受本由 SPD1承受的高能量。

一定要按逐级分流、分级保护的方法，才能保证SPD即有很长的寿命，又能把电源系统雷击电涌电压限制在设备能承受的水平内。

2、15米原则：当进线端的SPD与被保护设备之间的距离 > 15 米， 应在离被保护设备尽可能近的地方安装另一个电涌保护器

3、10米原则：当保护SPD1和SPD2作为级联安装时，SPD1和SPD2之间的最短距离：10 米。目的为了延迟SPD2上雷击波的到达，以使尽可能多的能量被SPD1释放。

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4、50CM原则：进线和出线可以直接并接，也可以用V形接法（凯文接线）连接。直接并接要求a+b≤0.5m, 而V形接法只要求a≤0.5m，以减少引线电感电压降对被保护设备的冲击。

电气系统的控制方法有三种，分别是：微机控制、强电控制与弱电控制。弱点控制运用了断路路跳合闸和控制回路之间的关系，通过强弱电转换装置来控制弱电控制断路器，这种控制方式线路连接复杂，可靠性弱；而强电控制的接线方式相对简单，它的运行和调试就更加方便一些，安全性和可靠性都有所提升。微机控制是这两种控制方式的结合和提升，微机监控方式把电气控制纳入到DC系统中，提高了机组作业的自动化水平，而且实现了统一答理炉电机。

热能聚中技术

1、高安全性：热能聚集人为控制在中心区域；非中心区域的温度，要远低于中心区域。从而保障了热脱离器脱离前，非中心区域的温度，一直处于安全温度；避免热脱离器脱离过程中，非中心区域的某点温度，可能已经超过甚至远超过警戒值，进而可能引发火灾，保障了客户设备的安全运行。

2、TOV快速、准确:热能聚集人为控制在中心区域；芯片的热能，传导到脱离器的传导距离最短、传导热能最多、传导热能最集中、传导速度最快，保障热脱离器能够最快速度准确脱离。保障了客户设备的TOV的快速、准确。

配电线路中时常会出现电压的突升、突降、闪变和波动的电压扰动问题，通过在配电端架动态电源恢复器是目前解决这些问题的常用方法。这种传统的动态电压恢复器消除系统电源扰动的方式是对系统注入一股补偿电压，但是补偿电压是由可调自耦变压器和隔离变压器来产生的，这种不连续的调节降低了动态电压恢复器对于系统的响应速度，质量好电涌保护器生产商,电源电涌保护器相关，会出现不能将电压波动完全消除的情况。另一方面，由于内部构成的问题，传统的动态电压恢复器的体积比较大、成本都比较高。 尽管可再生能源领域会有8万亿美元投资，但发展中国家还将有许多遗留的化石燃料电厂以及对新燃煤电厂的足够投资。这就造成了到2029年全球二氧化碳排放量将一路上涨。由于经济发展及人口增长，2014-2040年全球发电量将增长56%，而全球电力领域排放将从131亿吨增加到2029年的峰值153亿吨。发展中国家的更多煤炭燃烧将远超过发达国家利用天然气和可再生能源发电所替代的煤炭。尽管2029年后，全球碳排放会逐渐减少，但是2040年148亿吨的排放量比2014年的水平还要高出13%。

纳米ZnO技术

1、高电位梯度：近年国内外的研究结果表明，ZnO芯片的电位梯度取决于单位厚度内的晶界数目，液相扩散控制ZnO晶粒的生长速度；而晶界数目又是由ZnO晶粒粒径所确定的，故减小ZnO晶粒粒径是提高ZnO芯片电位梯度的主要途径。

纳米ZnO是由极细晶粒组成，其特征维度尺寸（晶粒尺寸、晶界宽度、第二相分布等）是纳米数量级。以纳米ZnO为核心的高梯度配方的设计，能够有效增加晶界层数量、抑制晶粒生长速度及提高势垒高度，能够大幅提高单位面积的通流能力，能够大幅提高电位梯度。

2、高能量耐受：同单位体积的能量耐受，主要体现在ZnO芯片击穿。其主要原因是由于电流分配不均匀导致热能汇集某一点，最终归结于微观组织结构的不均匀性所致。这就要求尽可能从制造工艺上提高ZnO芯片结构和成分均匀性、减少陶瓷本体内部缺陷。

在原料的选用上，纳米ZnO粒子作为联系宏观物体及微观粒子的桥梁，其表面效应伴随着粒径的减小，表面原子数的迅速增加，纳米粒子的表面积、表面能都迅速增大。表面原子周围缺少相邻的原子，质量好电涌保护器生产商,漏电保护器相关，质量好电涌保护器生产商,obo电涌保护器相关，有许多悬空键，具有不饱和性质，易与其它原子相结合而稳定下来，故具有很大的化学活性。

在添加剂的选用上，使用易于分散、活性较高的改性纳米BiO 3 ，有助于提高烧结过程中的传质速度，有助于改善液相对界面的侵润性，形成良好的晶界面。纳米材料的配方、新型高效分散设备的应用和窑炉曲线的调整，北京电联港电器设备有限责任公司,电联港电器,对于芯片均匀

性改善均起到显著作用，对于单位体积能量耐受能力提高起到显著作用。

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