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产品名称: NP3403/3407/3415

NP3403/3407/3415

产品价格:面议

产品数量:1000000

保质/修期:1

保质/修期单位:

更新日期:2021-07-08

产品说明

Description

The NP3403MR uses advanced trench

technology to provide excellent RDS(ON)

General Features

, low gate

charge and operation with gate voltages as low as

2.5V. This device is suitable for use as a load switch

or in PWM applications.  VDS =-30V,ID R =-2.6A

DS(ON)(Typ.)=84mΩ @VGS

R =-4.5V

DS(ON)(Typ.)=110mΩ @VGS

 High power and current handing capability

=-2.5V

 Lead free product is acquired

 Surface mount package

Application

 PWM applications

 Load switch


显示器IC74HC245/FM6363B兼容明微74HC245B_74HC245K/电视机IC兼容恩智浦NXP245-深圳市恒佳盛电子有限公司

parameter symbol limit unit

Drain-source voltage V -30 DS V

Gate-source voltage V ±12 GS V

Drain current-continuousa -pulse d

@Tj=125℃ I b -2.6 D A I -12 DM A

Drain-source Diode forward current Is -1.25 A

Maximum power dissipation P 1 D W

Operating junction Temperature range Tj -55—150 ℃


20V/4A/PMOSNP340334073415兼容万代_20V/4A/PMOSNP340334073415热线13823513305-深圳市恒佳盛电子有限公司


三极管NP340334073415一级代理_20V/4A/PMOSNP340334073415热线13823513305-深圳市恒佳盛电子有限公司


小风扇MOS管NP340334073415蓝箭 微盟_20V/4A/PMOSNP340334073415热线13823513305-深圳市恒佳盛电子有限公司

20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

Description

The NP3415EVR uses advanced trench technology

to provide excellent RDS(ON), low gate charge and

operation with gate voltages as low as 1.8V. This device

is suitable for use as a load switch or in PWM

applications.

General Features

 VDS =-20V,小家电MOS管NP3403/3407/3415资料,ID =-4A

RDS(ON)(Typ.)=46mΩ @VGS=-2.5V

RDS(ON)(Typ.)=38mΩ @VGS=-4.5V

 High power and current handing capability

 Lead free product is acquired

 Surface mount package

 ESD Rating: 2500V HBM

Application

 PWM applications

 Load switch

Package

 SOT-23


富满电子74HC245/FM6363B兼容明微74HC245TS_74HC245K/电视机IC兼容恩智浦NXP245-深圳市恒佳盛电子有限公司

Part Number Storage Temperature Package Devices Per Reel

NP3415EVR-G -55°C to +150°C SOT-23 3000


LED 大屏幕行扫描消隐控制电路TC4973联系13823513305_LED显示屏驱动IC电视机IC/LED恒流驱动IC/LED大屏幕IC-深圳市恒佳盛电子有限公司

Notes:

a. surface mounted on FR4 board,t≤10sec

b. pulse test: pulse width≤300μs,duty≤2%

c. guaranteed by design, not subject to production testing

Thermal Characteristics

Thermal Resistance junction-to ambient Rth JA 100 ℃/W


LED 大屏幕行扫描消隐控制电路TC4973规格书_LED显示屏驱动IC电视机IC/LDO/LED大屏幕IC-深圳市恒佳盛电子有限公司


显示器IC74HC245/FM6363B兼容明微74HC245TS_74HC245K/电视机IC兼容恩智浦NXP245-深圳市恒佳盛电子有限公司


TSSOP-20/SSOP-2474HC245/FM6363B_富满电子电视机IC-深圳市恒佳盛电子有限公司


液晶屏IC74HC245/FM6363B一级代理_74HC245K/电视机IC兼容集创北方ICND22163-深圳市恒佳盛电子有限公司

Description

The NP3407VR uses advanced trench technology

to provide excellent RDS(ON)

 V

, low gate charge and

operation with gate voltages as low as 2.5V. This

device is suitable for use as a load switch or in PWM

applications.

General Features

DS =-30V,ID R =-4A

DS(ON)(Typ.)=62mΩ @VGS=-4.5V

RDS(ON)(Typ.)=45mΩ @VGS

 High power and current handing capability

=-10V  Lead free product is acquired

 Surface mount package

Application

 PWM applications

 Load switch

Package

 SOT-23


封装SOP8TC4973/LED恒流驱动IC/LED大屏幕IC_LED显示屏驱动IC电视机IC/LED恒流驱动IC/LED大屏幕IC-深圳市恒佳盛电子有限公司


小风扇MOS管NP340334073415兼容新洁能_20V/4A/PMOSNP340334073415热线13823513305-深圳市恒佳盛电子有限公司

Parameter Symbol Condition Min Typ Max Unit

OFF Characteristics

Drain-source breakdown voltage BVDSS VGS=0V, ID=-250µA -30 - - V

Zero gate voltage drain current IDSS VDS=-30V, VGS=0V - - -1 µA

Gate-body leakage IGSS VDS=0V, VGS=±20V - - ±100 nA

ON Characteristics

Gate threshold voltage VGS(th) VDS=VGS, ID=-250µA -0.7 -1.3 -2.5 V

Drain-source on-state resistance RDS(ON)

VGS=-10V, ID=-4A 45 65

VGS=-4.5V, ID=-3A - 62 90

Forward transconductance gfs VDS=-5V, ID=-4A - 10 - S

Dynamic Characteristics

Input capacitance CISS

VDS=-10V ,VGS=0V

f=1.0MHz

- 700 -

pF Output capacitance COSS - 120 -

Reverse transfer capacitance CRSS - 75 -

Switching Characteristics

Turn-on delay time tD(ON) VDD=-15V ID=-4A,VGEN=-10V RL=10ohm 

RGEN=6ohm

- 9 -

ns

Rise time tr - 5 -

Turn-off delay time tD(OFF) - 28 -

Fall time tf - 12.5 -

Total gate charge Qg

VDS=-15V,ID=-4A, VGS=-4.5V

- 14 -

nC Gate-source charge Qgs - 3.1 -

Gate-drain charge Qgd - 3 -


TC4973/LDO/LED大屏幕IC_液晶屏IC电视机IC-深圳市恒佳盛电子有限公司


20V/4A/PMOSNP340334073415_三极管NP340334073415-深圳市恒佳盛电子有限公司

  芯片代工企业当前遭遇的困境让人们感叹靠代工难以赢利,但转向IDM模式是否就包治百病?从国外的经验来看,IDM企业通常由小企业逐渐发展壮大,传统上欧美的主要半导体企业都是采取IDM模式的,但由于市场竞争的残酷性,无论从时间还是空间而言都很难让作为迟到者的中国半导体企业从容不迫地“自然生长”,由代工企业向IDM转型的“嫁接”方式的确是一个比较好的选项。但由于这种转型过程没有先例可循,依旧需要我们“摸着石头过河”。   除了产业链上下游的整合之外,芯片制造企业之间的整合更是牵动着业界人士的神经。2008年11月底,业界再次传出上海宏力半导体和华虹NEC两家代工厂将要合并的消息。尽管两家公司内部员工对该并购案三缄其口,但已有性急的业内人士把两家公司的“婚期”预定在今年春节之前。不过,深圳市恒佳盛电子有限公司,小家电MOS管NP3403/3407/3415资料,恒佳盛电子,合并真的能给两家公司带来质的飞跃吗?尽管追求规模效应是一个很好的理由,但规模比宏力半导体和华虹NEC的总和还大的芯片代工企业也面临着亏损,这两家公司就一定能通过合并来摆脱当前的困局吗? 尽管业界早已降低了期望值,但2008年第四季度全球半导体行业主要厂商的表现仍然让人失望。英特尔在该季度的销售收入为82亿美元,小家电MOS管NP3403/3407/3415资料,同比下降23%,净利润为2.34亿美元,同比更是下降了90%;三星电子则遭遇了自2000年开始按季度发布财报以来的首次亏损,小家电MOS管NP3403/3407/3415资料,去年第四季度,该公司亏损达200亿韩元(约合1440万美元),而上年同期三星赢利2.21万亿韩元(按当时汇率计算约为24亿美元);芯片代工龙头企业台积电的状况也不容乐观,该公司在去年第四季度销售收入同比下降31.2%,而毛利率和营业利润率同比也分别下降了16.5和20.6个百分点。


供应商信息

公司名称:深圳市恒佳盛电子有限公司

公司地址:广东省深圳市福田区振兴路赛格科技园四栋中520室

所属行业:其他集成电路

联系人:张 林森

手机号码:13723462606